[예비레포트] MOSFET에서의 전기적 특성 관찰(transfer curve)

목차

1. 실험 제목
2. 예비 이론
3. 참고 문헌

본문내용

1. 실험 제목
MOSFET에서의 전기적 특성 관찰(transfer curve)

2. 예비 이론
1) MOSFET 구조
금속-산화물-반도체(Metal-Oxide-Semiconductor)의 3층 적층 구조를 형성한다. 게이트가 유도되는 전류 전도 채널로부터 절연되어 있는 구조이다.
i. MOSFET 층별구조
- 상층 (전극 단자)
상층은 금속막 역할을 하는 전도성 있는 게이트(Gate) 단자이다. 이것은 금속 Al(알루미늄) 또는 다결정 실리콘(Polysilicon) 등을 사용한다. 현재는 거의 다결정 실리콘이지만 초기에 게이트가 금속으로 만들어져 관례적으로 MOS(금속-산화막-반도체) 라는 명칭이 굳어졌다. 다결정 실리콘은 고농도로 이온이 주입되어 높은 전도도를 갖는다. 또한 산화막과 화학반응 하지 않으면서도 고온에 견딜 수 있다. 이상적으로 게이트 전극은 산화막에 의해 기판과 절연되므로 게이트 전류 흐름이 없다.

참고 자료

반도체소자공학(Donald A. Neamen)
https://m.blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=soomin916&logNo=220364097525&proxyReferer=https%3A%2F%2Fwww.google.com%2F
http://www.ktword.co.kr/word/abbr_view.php?m_temp1=5396