트렌지스터 베이스 바이어스 결과보고서

소개글

트렌지스터 이미터 바이어스 결과보고서 입니다.

목차

1. 실험 제목
2. 목적 및 목표
3. 관련 이론
4. 실험 과정
5. 실험 결과

본문내용

1. 실험 제목
트렌지스터 베이스 바이어스

2. 목적 및 목표
트렌지스터를 사용하여 브레드보드에 회로를 구성하고 베이스, 콜렉터에서 걸리는 전압과 전류를 측정하여 단자 전압들 사이의 관계를 알아보자.

3. 관련 이론
BJT는 전류증폭소자이고 일반적으로 트랜지스터를 지칭한다.

<NPN형 BJT>
P형 반도체의 다리는 베이스이고 전류를 인가하는 쪽은 콜렉터 출력은 이미터이다. 베이스에서 이미터에 순방향 바이어스 전압을 걸어주고 베이스와 콜렉터간 역방향 바이어스전압을 건다. 전류는 콜렉터에서 베이스로, 베이스에서 이미터로 흐르게 된다. 전자의 방향은 그 반대가 된다.
<PNP형 BJT>
N형 반도체의 다리는 베이스이고 전류를 인가하는 쪽은 이미터 출력은 콜렉터이다. 베이스에서 이미터에 순방향 바이어스 전압을 걸어주고 베이스와 콜렉터간 역방향 바이어스전압을 건다. 전류는 이미터에서 베이스로, 베이스에서 콜렉터로 흐르게 된다. 전자의 방향은 그 반대가 된다.

4. 실험 과정
<실험1>
1) 그림1의 회로와 같이 회로를 결선하고 브레드보드에 전원을 인가한다.
2) 멀티미터를 이용하여 전류와 전압을 측정하고 <표1>에 기록한다.

< 중 략 >

5. 실험 결과
결과보고사항
• 아래의 식을 이용하여 회로에 대한 직류 부하선의 포화점과 차단점을 구하고 <표3>에 기록한다.
• 직류 부하선의 양쪽 끝점으로 포화 전류 IC(sat)와 차단 전압 VCE(off)를 사용하여 직류부하선 그래프를 그린다.
• 실험에서 측정한 IC와 VCE를 가지고 그래프 위에 세 개의 Q점 (560kΩ, 100kΩ, 750kΩ)을 그려 넣는다. 세 개의 Q점 중포화점을 찾는다.
• <표2>를 사용하여 이미터, 컬렉터, 베이스 단자를 구별하는 방법을 설명하시오.
( 참고: 도우핑 농도가 클수록 턴온 전압이 높아진다. )

참고 자료

없음