금속반도체접합(쇼트키,옴성)

목차

1. 쇼트키접합
1) 열전자 방출이론
2) 쇼트키 다이오드

2. 옴성접촉
1) 양자 역학적 터널링

본문내용

쇼트키 접합
쇼트키접합은  Metal의 일함수가 Si의 일함수보다 큰 N-type 또는 Metal의 일함수가 Si의 일함수 보다 더 작은 P-type의 반도체가 접합할 경우, 그 경계에서 장벽이 발생하여, 순방향바이어스 또는 역방향바이어스가 인가되었을 시에,한쪽 방향으로 전류가 흘렀다가 일정 전압에서 OFF되는 것

다수 캐리어에 의해 동작함

단방향 전기 전도성을 갖는 정류성 접촉을 이룸

금속과 저농도 도핑된 반도체 (주로 n형) 사이의 접합은 PN접합과 유사하게 정류성 IV특성을 나타냄
이것을 쇼트키 다이오드라고 함

<중 략>

옴성 접촉
N- 또는 P-type의 반도체의 도핑농도를 높게 하여 Metal과 경계에서 장벽의 폭을 크게 낮추어 주어 전자들이 터널링할 수 있도록 만든 것
이 때에는 터널링에 의해서 전류가 흐르므로 바이어스 방향에 관계없이 양쪽 방향으로 동일한 전류가흐름

소자의 고속 성능에 중요 요소

반도체 소자에서 접촉 단자로 많이 활용

금속과 고농도된 반도체 사이의 접합은 낮은 저항처럼 동작

참고 자료

내용 출처 : 네이버 용어해설 , 정보통신용어해설 , 한빝아카데미 『현대 반도체 소자공학』