아주대학교 논리회로실험 실험2 CMOS의 회로의 전기적 특성 결과보고서
- 최초 등록일
- 2019.02.20
- 최종 저작일
- 2016.12
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목차
1. 실험 결과
1) 실험 1
2) 실험 2
3) 실험 3-1
4) 실험 3-2
5) 실험 4
2. 고찰
본문내용
2) 분석
결선도대로 회로를 구성하였고 올바른 결과가 출력되었다. 예비보고서에서 어떤 구간에서 값이 abnormal한 구간이 나타날 것이라고 예측했는데 오실로스코프 측정결과 그러한 구간이 나타났다. 측정구간들의 전압값들을 모두 기록해서 데이터 시트와 비교해 볼 수 있었는데 기록을 하지 못해 아쉽다.
<중 략>
2) 분석
- 주파수 값을 조정해주면서 예상한 결과의 그래프 개형을 나타나게 해주었다. 그래프는 Hysteresis를 이용한 abnormal 영역이 제거되어진 형태로 앞의 74HC04 인버터의 그래프 개형과는 차이를 갖는다.
- 예상결선도 대로 빵판을 연결하였더니 결과 값이 잘 나타났다.
- 예비보고서에서 어떤 구간에서 값이 abnormal한 구간이 나타날 것이라고 예측했는데 오실로스코프 측정결과 그러한 구간이 나타났다. 측정구간들의 전압값들을 기록해서 데이터 시트와 비교해 볼 수 있었는데 기록을 하지 못해 아쉽다.
<중 략>
이번 실험은 CMOS 칩의 내부 작동 방식을 확인하기 위한 실험이었다. CMOS 칩의 작동 방식을 알기 위해 세가지 측면에서 접근했다. 실험 1,2 에서는 신호의 입력, 실험 3에서는 신호의 출력, 실험 4에서는 신호의 시간지연에 대해 알아봤다.
실험 1에서는 CMOS회로가 입력 전압에 따라 논리값을 정하는 방식과 그로 인해 나타나는 abnormal 상태를 확인했다. 실험 2에서는 그 abnormal상태를 제거하기 위해 입력 판정 방식이 다소 다른 Schmitt-trigger inverter를 사용했다. 실험 3에서는 출력 신호가 정해지는 방식을 알기 위해 CMOS 칩의 내부저항을 측정했다. 실험 4에서는 입력과 출력 사이의 시간 지연에 대해 알아보기 위해 하나의 신호를 여러 인버터에 통과시켜 그 시간지연을..
<중 략>
참고 자료
없음