[경희대] LTPS, a-Si, oxide TFT 특성 분석 (mobility, transfer curve, output curve)
- 최초 등록일
- 2018.07.09
- 최종 저작일
- 2018.06
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소개글
경희대학교에서 진행한 실험으로 prove box에서 a-Si, LTPS, oxide TFT의 특성을 분석한 실험입니다.
Transfer curve, output curve, saturation curve 등을 분석하여 각 TFT의 mobility 특성과 current를 설명해놓았습니다.
목차
I. 실험 목표
II. 실험 장비
III. 실험 과정
A. TFT prove station 측정
B. UV-vis spectrometer 측정
IV. 실험 결과
A. LTPS TFT, a-Si TFT, oxide TFT 특성 그래프
B. Double gate TFT, Driving TFT 특성
C. Optical bandgap
V. 결과 분석
A. Sample size
B. Field effect mobility
C. Linear region & saturation region
D. Pinch-off voltage
E. Saturation voltage 제어
F. DIBL
G. Optical bandgap 요인
본문내용
I. 실험 목표
- LTPS TFTs, a-Si TFTs, a-IGZO TFTs의 특성을 분석하는 실험으로서, dark box의 probe station을 이용하여 mobility, saturation Vth, swing를 측정한다. Test structure의 W/L을 바꿔가며 소자에 끼치는 영향을 분석한다. UV-vis를 이용하여 소자의 투과도를 측정하여 optical bandgap을 구해본다.
<중 략>
III. 실험 방법 및 순서
A. TFT Prove station을 이용한 측정
1. LTPS TFTs, a-Si TFTs, a-IGZO TFTs 측정
① Dark box의 불을 켠다.
② TFT sample을 chuck위에 올린다.
③ 진공으로 TFT를 고정시킨다.
④ Chuck positioner와 현미경을 이용하여 TFT를 위치시킨다.
⑤ Prove controller를 이용하여 각각의 prove를 source, drain, gate에 맞게 접촉시킨다.
* 이때, 초점이 TFT에 고정되어 있으므로 prove가 잘 보이지 않는데 prove를 천천히 내리면서 prove가 휘지 않도록 접촉시킨다.
참고 자료
Organic Light-Emitting Materials and devices, 권장혁
Solid State Electronic Devices, 벤 스트리만,