전자부품 및 공정실험 3 varistor
- 최초 등록일
- 2017.08.12
- 최종 저작일
- 2017.03
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목차
1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 이론적 배경
4. 실험 장비 및 소모품
5. 실험 과정
6. 실험 결과
7. 고찰 및 분석
8. 결론 및 주관적인 생각
9. 참고 문헌 및 관련 사이트
본문내용
1. 실험 제목
- Varistor 특성곡선 측정.
2. 실험 목적
- Varistor의 구조 및 구동원리를 파악하고 특성을 측정, 증명한다.
3. 이론적 배경
1) Varistor의 정의
바리스터(Varistor)는 Variable Resistor의 약어로 대칭적인 V-I 특성 곡선(그림 1)을 갖고 전압이 증가함에 따라 저항이 감소하는 특성을 나타낸다. 바리스터는 보호하고자하는 부품이나 회로에 병렬로 연결하여 과도전압이 증가하면 낮은 저항 회로를 형성하여 과도전압이 더 이상 상승하는 것을 막아준다.
바리스터 또는 VDR(Voltage Dependent Resistor)의 전압의존성은 비선형 상수(α)에 의해 표현되고 금속산화물 바리스터는 α를 크게 만들 수 있어 제너다이오드와 비슷한 수준의 보호 레벨을 갖는다. 바리스터의 응답속도는 25ns(SMD 타입은 0.5ns이하) 이하로 거의 완벽한 보호용 부품이다.
1-1) ESD(Electro-static Discharge)의 정의
-마찰 등에 의해서 물체가 대전되어 있다가 전도성 물질을 만나면 순간 높은 전압을 발생하면 방전되는 현상으로 특히, 전자기기에 들어있는 반도체 소자는 ESD에 대한 내성이 약하여 오작동 또는 부품파손을 야기 시킴
-국제적으로 모든 전자장비에 ESD에 대한 내성을 표준화(IEC-61000-4-2)하여 엄격하게 관리하고 있음.
2) Varistor의 특성
ZnO 바리스터 (Varistor: variable resistor)는 비선형 전류-전압 특성을 갖는 반도성 가변 저항소자로 순간적인 전압 동요를 1ns 이내에 감지하고 제한시키는 동작을 제품의 파괴 없이 반복적으로 수행하는 전자 세라믹 부품이다. 기능적으로 바리스터는 back-to-back 제너 다이오드 (Zener diode)와 같으며, 회로나 피보호 부품과 병렬로 연결하여 회로 혹은 피보호 부품을 ESD나 전압 서지 (surge)로부터 보호한다.
참고 자료
www.epcos.com (www.tdk.co.jp), www.amotech.co.kr, www.vishay.com, www.avx.com, www.littelfuse.com, www.inpaq.co.tw
홍연우, “ZnO 칩 바리스터 특성과 적용 분야”,전기전자재료, 23권, 9호, pp. 3-11, 2011
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[ZnO 바리스터 특성과 응용; 홍연우] 논문 학술지
위성권, “MLCC 제품 개발 동향”, 세라미스트, Vol. 14, No. 1, pp. 41-45, 2011
[Preparation and characterization of Mn-Co-Ni NTC thermistor; 이정일] 논문 학술지