인하대 전자공학과 기초실험1 트랜지스터 예비보고서

목차

1. 실험 목적
2. 이론
3. 참고문헌

본문내용

1.실험 목적
트랜지스터는 과거의 진공관의 역할을 하는 매우 중요한 소자이다. 이번 실험에서는 트랜지스터의 종류 및 사용법에 대해 알아보고 이를 이용한 응용 회로 실험을 진행한다.

2.이론
1) MOSFET의 동작원리에 대해 조사하고 기술하시오.
MOSFET은 Depletion type과 Enhancement type 으로 구분할 수 있다. 각각 공핍형과 증가형이라고도 한다. 밑의 그림에서 중앙의 P형 반도체(N형도 있음)가 전류의 통로 이고 그 양단의 전극을 드레인과 소스라고 부른다. 그리고 P형 반도체의 양쪽에 접합한 전극을 게이트라고 한다. 먼저 드레인과 소스간에 (-)전압을 걸면 P형반도체 내의 정공들이 게이트의 마이너스에 의해 인력이 생겨 끌려올라가게 된다. 이 상태는 전류의 통로가 비좁아진것이 되므로 전류가 잘 흐르지 않게되고 더 강한 (-)전압을 걸게 되면 결국 전류는 흐르지 않게 된다.

참고 자료

奧澤淸吉 저, “트랜지스터의 기초지식”, 명지출판사 , 1989
Betty Lise Anderson, Richard L.Anderson 공저 , “반도체 소자 공학” , 한티미디어, 2005