12장 예비보고서 JFET 특성

*형*

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본문내용

실험에 관련된 이론
1) JFET 의 구조
n 채널 JFET의 기본 구조는 오른쪽 그림과 같다. 이 구조의 주요 부분은 p형 물질 사이에서 채널을 형성하는 n형 물질이다.

n형 채널의 윗부분은 저항성 접촉을 통하여 드레인(drain: D) 이라고 하는 단자에 연결되고, 그 아래 부분은 저항성 접촉으로 소스(source: S) 라 하는 단자에 연결되어 있다.
2개의 p형 물질은 함께 합쳐져 게이트(gate: G) 단자에 연결된다.

2) JFET에서 ( pinch off voltage)
최대 전류는 로 정의되고, 일 때, 발생한다.
핀치 오프 전압은 p형 물질끼리 양쪽 공핍층이 닿아서 전류가 증가 하지 못하고 일정한 상태
를 말한다.
핀치 오프 전압보다 작은(음의 값으로 더 큰) 게이트 - 소스간 전압 에 대해, 드레인 전류는 0 A () 이다.

참고 자료

B. Razavi, “Fundamentals of Microelectronics,” John Wiley, 1st Edition, 2007, pp.380-410
http://blog.naver.com/dolicom/10084139379

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