이공계기술PT면접(2016하반기)-[410]플래시 메모리(Flash Memory)

소개글

2016 하반기 대기업 PT 면접 중 이공계 기술 PT 면접으로서 과거 기출 문제임과 동시에 계속 출제가 유력한 예상 PT 면접 주제임.
전공분야: 반도체 공학, 전자 전기 공학, 신소재 공학, 재료 공학, 정보 통신 공학, 컴퓨터 공학
지원분야: 연구개발, 반도체 사업, 모바일 사업, 무선 사업, 디스플레이 사업, 생산관리
지원기업: 삼성전자, SK하이닉스, LG 전자, LG 디스플레이, 삼성 디스플레이, 삼성전기, 삼성SDI

목차

Ⅰ. 플래쉬 메모리의 개념
Ⅱ. 낸드 플래시 메모리[Nand Flash Memory]
Ⅲ. 모바일 D램의 세계 시장 동향
Ⅳ. 모바일 D램 시장의 변수

본문내용

I. 플래쉬 메모리의 개념
전원을 끄면 데이터를 상실하는 D램, S램과 달리 전원이 꺼져도 저장된 정보는 사라지지 않는 비휘발성 메모리를 말한다. 전원이 끊겨도 저장된 데이터를 보존하는 롬(ROM)의 장점과 정보의 입출력이 자유로운 램(RAM)의 장점을 동시에 지닌 메모리 반도체다. 플래시 메모리는 ROM보다 작다. 또 고속, 저전력으로서, CD나 DVD처럼 드라이브를 장착해야 하는 번잡이 없다. 플래시 메모리는 2001년부터 USB 드라이브, Thumb 드라이브라는 이름으로 주목을 받기 시작했다. 이후 디카나 PDA 등의 휴대용 디지털 기기에 사용되면서 그 사용량이 급증했다.

Ⅱ. 종류
내부 방식에 따라 크게 노어(NOR)형과 낸드(NAND)형으로 구분되며 그 결합 형도 있다.

(1)노어플래시(nor flash)
셀을 수평(병렬)으로 배열하기 때문에 대용량화가 불가능한 대신, 읽기 속도가 빠르고, 데이터의 안전성이 우수하다는 것이 장점이며, 휴대폰의 메모리로 많이 사용된다.
(2)낸드플래시(nand flash)
셀을 수직(직렬)으로 배열하느 구조여서 소형화, 대용량화가 가능해 다양한 모바일과 전자제품의 저장장치로 사용되고 있다. Ⅲ에서 상세 설명한다.

참고 자료

없음