Mos Amplifier 예비보고서

목차

없음

본문내용

1. MOSFET의 동작 영역은 어떤 것들이 있고, 어떻게 정의되는지 조사하시오.

모스펫의 동작은 단자들에 걸리는 전압에 따라서 3개의 다른 영역으로 구분할 수 있다.

차단이나 역문턱 상태

< 일때 여기서 V_{th}는 소자의 문턱전압 (threshold voltage)이다.
기본적인 문턱모형에 따르면 트랜지스터는 차단되고 드레인과 소스사이의 전도는 없다.
사실은 전자 에너지의 볼츠만 분포로 인해, 소스에 있는 전자들중에서 에너지가 높은 일부분의 전자들이 채널로 들어가서 드래인으로 흐르는 것이 가능한데, 이것이 게이트-소스 전압의 지수 함수인 문턱아래 전류가 된다.
트랜지스터가 차단 스위치로 사용될때 이상적으로는 드레인과 소스 사이의 전류가 없어야 하지만, 미약한 역전류(inversion current)가 있어서 가끔 문턱아래 누설(subthreshold leakage)이라고 부른다.

<중략>

이 식을 해석하면 더 높은 이동도는 주어진 드레인 소스 전압에서 더많은 전류를 흐르게 하고, 더 높은 게이트 커페시턴스는 주어진 게이트 소스 전압에서 채널에 더 큰 전하 밀도를 만들어 종횡비는 트랜지스터를 병렬로 연결한 것 같은 효과를 낸다.

<중략>

3. MOSFET의 small-signal model에 대해 조사하시오.

만일 MOSFET의 바이어스 전류와 전압이 신호에 의해서 약간만 변하는 경우에는 비선형적인 대신호 모델을 선형인 소신호 모델로 간략화할 수 있다.
소신호 모델의 전개 과정은 바이폴라 소자의 경우와 동일하다.
특히 소신호 모델중 우리가 관심을 갖는 것은 포화 영역의 모델이다.

<중략>

V_G가 점점 증가함에 따라서 V_G가 V_TH보다 큰 영역과 작은영역 두가지로 나눌수 있다.
첫번째로 V_G > V_TH 이면 V_G의 값에 따라서 SATURATION과 TRIODE가 구분 되고, V_G < V_TH 이면 V_G의 값에 상관없이 채널형성이 안되어 CUT OFF 상태인 MOSFET으로 동작하게 된다.

참고 자료

없음