2016아주대 물리학 실험 결과 보고서 옴의 법칙
- 최초 등록일
- 2016.03.31
- 최종 저작일
- 2016.02
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소개글
아주대학교 2016년 계절학기로 들은 물리학 실험2입니다.
혼자 학교 도서관 책 참고해서 작성해서 A+받은 보고서입니다.
참고하셔서 좋은 점수 받으세요
목차
1. 측정값 및 계산값
2. 토의
참고문헌
본문내용
“다이오드에 전압이 양이면 전류가 흐르고 음이면 전류가 흐르지 않는다.”고 말해도 되는가? 시험한 모든 다이오드에 대해 전류가 2mA보다 커지는 대략적인 전압(전환점)을 서로 비교하시오.
이를 설명하기 위해 실험이론을 보면
반도체 소자는 대부분 PN접합 다이오드로 구성되는데 P형 반도체는 불순물로 정공을 첨가하고 N형 반도체는 과잉전자를 불순물로 첨가하여 만든다.
이상적인 다이오드의 경우 순방향 인가전압의 크기에 상관없이 전류가 흐르지만 P형 반도체와 N형 반도체가 서로 만나면 접합부 근처의 전자들이 이동하여 전위장벽(Potenrial)(문턱전압)이 형성되고 이 전위장벽을 통해 전류가 흐르기 위해서는 전하의 캐리어가 장벽을 넘어가야 하는데 캐리어를 장벽 위로 올리기 위해 순방향 바이어스 전압이 PN 접합으로 생성되는 전위장벽 이상 커야한다.
장벽(문턱전압)의 높이는 불순물이 첨가되지 않은 상태의 반도체 물질에 따라 결정된다. 대표적으로 쓰이는 실리콘 다이오드의 경우는 약 0.7V이다.
실리콘이 주로 반도체에 잘 이용되는 이유는 실리콘은 4족 원소로 최외각 전자의 수가 4개이다.
참고 자료
반도채공학,류장렬외 2명, 형설출판사,2003년,142쪽.
현대 반도체 광원의 기초 ,심종인외2명, 북스힐, 2008, 137쪽.
기초전자실험, 김상배, 홍릉과학출판사, 2007.106쪽