TCAD를 이용한 반도체 공정 Simulation

*길*

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최초 등록일: 2016.03.22
최종 저작일: 2008.06; 14페이지/ MS 파워포인트; 가격 3,000원

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소개글

nMOSFET에서 Source와 Drain의
Implant energy에 따른 electron current,
hole current의 변화를 통하여
MOSFET의 특성에 대해 이해하고자 함.

본문내용

1) Implant Energy를 높게 하면 Source와 Drain 두께가 넓어지게 된다.
2) Implant Energy를 계속 증가시키면 Source와 Drain 사이에 채널이 형성되면서 Gate의 전압과 관계없이 전류가 흐르게 된다.

* 본 자료는 표와 그래프 위주로 구성되어 있습니다.

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없음

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