[전자과 기초실험]A+ 전자과 실험 보고서 트랜지스터 예비 보고서
- 최초 등록일
- 2016.02.16
- 최종 저작일
- 2015.04
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목차
1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 실험 이론
4. 예비고찰
5. 참고 문헌
본문내용
1. 실험 목적
트랜지스터는 과거의 진공관의 역할을 하는 매우 중요한 소자이다. 본 실험에서는 트랜지스터의 종류 및 사용법에 대해 알아보고 이를 이용한 응용 회로 실험을 진행한다.
2. 실험 장비
- 실험 장비 : 오실로스코프(1대), 펑션제너레이터(1대), 파워서플라이(1대), 멀티미터(1대), 브레드보드(1대)
- 실험 부품 : NPN(2N3904), PNP(2N3906), LED, 저항(종류별로 다수)
<중 략>
그림 2은 npn 트랜지스터에 관한 내용으로 그림 (a)는 기호를, 그림 (b)는 구조를 나타낸다. 그림 (b)의 구조를 살펴보면 베이스와 이미터 사이 및 베이스와 컬렉터 사이는 각각 하나의 pn 접합 다이오드를 이루고 있으므로 구조적으로 그림 (c)와 등가이다. 그림 (c)는 두 개의 다이오드가 반대 방향으로 결합된 형태이다. 때문에 하나가 순방향이면 다른 하나는 반드시 역방향으로 되어 회로적으로 의미가 없는 것처럼 보일 것이다. 그러나 실제로는 베이스-이미터간의 다이오드는 일반적인 다이오드로 동작하지만 베이스-컬렉터 간 다이오드는 특이하게 하나의 종속 전류원으로 동작한다. 따라서 동작상의 등가회로는 그림 (d)와 같다.
<중 략>
즉, 베이스-이미터 간에는 순방향 바이어스 VBE를 이용해 EBE를 제거하고 베이스-컬렉터 간에는 역방향 바이어스 VCB를 이용해 EBC를 강화시켜준다.
일부 전자들은 베이스 영역의 다수 캐리어인 홀들과 재결합하면서 소멸되며, 함께 소멸된 홀은 전원 VBE가 베이스 단자를 통해 보충해준다. 전자의 이동은 전류의 방향과 반대이므로 그림 5에서 이미터 전류와 컬렉터 전류는 -iE, -iC로 표현하였다.
<중 략>
전계효과 트랜지스터(FET : Field Effect Transistor)는 BJT와 더불어 증폭 기능을 갖춘 대표적인 반도체 소자이다. FET의 전류 전도는 전자면 전자, 홀이면 홀 한 가지 캐리어로만 이루어지므로 단극성 트랜지스터(unipolar transistor)라 하기도 한다. 따라서 BJT에 비해 동작 원리는 간단하지만 여러 종류의 구조가 있다.
참고 자료
신윤기, 그림으로 쉽게 배우는 전자회로, 인터비전, 2003, pp74-104
김기남, 전자공학, NT미디어, 2008 pp68-77
니시보리겐지, 메카트로닉스에 의한 전자회로 기초, 성안당, 2008, pp22-32