전자공학실험 : 다이오드와 반파정류

목차

1. 단원목표
2. 단원 기본 지식
3. 실험 1. 다이오드의 직류(DC) 특성
4. 실험 2. 다이오드 반파 정류

본문내용

* 단원목표
- 다이오드의 동작원리와 다이오드의 반파 정류에 대해 알아본다.

* 단원 기본 지식
다이오드 동작원리

<그 림>

- 다이오드 접합의 공핍영역을 통과하여 전류가 흐르기 위해서는 전압을 추가로 걸어줘야 한다. 이러한 공핍영역에 걸리는 여분의 전위차를 장벽전압(전압 장벽)이라고 한다.

- 게르마늄 다이오드의 장벽전압은 약 0.3, 실리콘 다이오드의 장벽전압은 약 0.7 이다.

- P형에 (+)전압 N형에 (-)전압을 걸어준다. 이때 장벽 전압 보다 높은 전압을 걸어주면 공핍영역의 길이는 작아지고, N형에 있던 전자는 P형의 쪽으로 이동한다. 이를 ‘순방향 바이어스’라고 한다.

- 이와는 반대로 P형과 N형에 반대의 전압을 걸어주면 공핍영역의 길이는 길어진다. 이때 ‘역방향 바이어스’라고 하며, 전류는 거의 흐르지 않는다.

<그 림>

- 다이오드의 장벽전압이상의 전압을 걸어주려면 큰 교류전압이 필요하다.

참고 자료

없음