기초전자회로실험 예비, 결과레포트(NMOS 증폭기들)
- 최초 등록일
- 2014.12.23
- 최종 저작일
- 2014.03
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목차
1. 실험결과
2. 결론
본문내용
이번 실험은 NMOS증폭기의 특성을 비교하는 실험이었는데, 공통-소스, 공통-게이트, 공통-드레인 증폭기의 입출력 전압 파형을 비교하는 실험이었다. 먼저, 공통-소스 증폭기의 입출력 파형을 비교해보니, 입출력파형이 반전되어서 증폭되어 나왔고, 공통-게이트 증폭기는 같은 위상에서 증폭이 되었다. 하지만 공통-드레인 증폭기 파형은 증폭의 폭이 적었다. NMOS증폭기에서 소스와 접지사이에 큰 커패시터 C를 접속시켰는데, 이는 소스에 신호 접지를 설정하기 위하여 붙였다. 이를 통하여 신호전류는 C를 통해 접지로 빠져나가므로 전류전원의 출력 저항을 우회한다. 따라서, 우회 커패시터(바이패스 커패시터)라고 부른다.
한편, 직류 바이어스 전류와 전압들을 교란하지 않기 위하여, 전압원으로 나타낸 증폭될 신호는 큰 커패시터 C를 통하여 게이트에 접속되는데 이는 결합 커패시터(커플링 커패시터)라고 부르며, 직류를 차단하면서 관심 있는 모든 신호 주파수들에서 완전한 단락 회로로 동작하기 위하여 붙였다.
참고 자료
없음
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