세라믹 타겟의 제조

목차

⑴ 제목

⑵ 이론
Ⅰ. 시편제조
Ⅱ. 특성 측정방법
Ⅲ. 특성
Ⅳ. 응용분야

⑶ 실험기구 및 시료

⑷ 실험방법

⑸ 실험 결과

⑹ 결론 및 고찰

본문내용

⑴ 제목 : 세라믹 타겟 제조

⑵ 이론

타겟(Target)은 이온도금(Ion plating) 또는 스퍼터링(Spuattering) 등의 건식도금법으로 공구류의 표면경화층 및 생활용품(장식품) 등의 표면광택층을 입히는 데 사용되는 피도금물체 이다. 다양한 색상과 뛰어난 물리적, 화학적 특성을 갖는 합금타겟은 이미 선진국에서는 보편적으로 사용되고 있고, 국내에서도 점차 관심을 기울이고 있어 타겟시장의 변화를 예고하고 있으며, 이 타겟의 응용분야로는 각종 자동차, 선박, 항공기, 정밀기계 등의 부품 및 절삭공구, 생활용품, 장식품, 컴퓨터부품, 반도체부품 등의 코팅에 널리 사용된다.

※ 주요 스퍼터링 타겟

※ 수소화된 비정질 실리콘을 이용한 비디콘 타겟의 제조 및 특성

Ⅰ. 시편제조
수소화된 비정질 실리콘을 이용한 차단접촉(blocking contact)구조의 비디콘 타겟은 그림 1과 같다.

여기서 ITO투명전도막은 전기전도도와 광투과성이 우수하여 투명전극의 역할을 하며 촬상관 동작 시 음극에 대해 양으로 바이어스 된다. SiO₂는 ITO투명도전막으로부터 열적인 캐리어 즉 정공의 주입을 차단시키고 a-Si:H는 광도전막으로서 전자와 정공을 생성시키는 역할을 한다. Sb₂S₃는 전자선에 의한 전자의 주입을 차단시키는 역할을 한다.

먼저 유기기판(Corning 7056)을 세척한 후 전자선가열 증착법으로 1000Å두께의 ITO를 증착하였다. 이때 가시광역에서의 투과율은 90~96%였고 면저항은 12Ω/□ 였다. 이 위에 고순도(99.99%) SiO₂ 타겟을 Ar 95%와 O₂ 5%의 분위기에서 RF(13.56MH₂) 스퍼터링시켜 약 200Å 두께의 정공차단막을 제조하였다. 스퍼터링시 target과 기판의 간격은 2.8㎝, target의 직경은 10㎝였다. 이때 스퍼터링 압력은 100mTorr, 기판온도는 300℃, 그리고 전력밀도는 2.5W/㎠였다. a-Si:H 광도전막은 SiH₄와 B₂H₄가스의 혼합 가스를 RF(13.56MHz) 글로우 방전으로 분해하여 제조하였으며 두께는 2㎛으로 하였다

참고 자료

없음