Nonohub p-n diode

목차

1. Depletion approximation을 사용하여 다음을 구하시오
1) Energy band diagram
2) Built in voltage
3) Charge distribution ρ(x) graph
4) Electric field distribution E(x) graph
5) Maximum electric field
6) Total depletion width
2. Nanohub의 Simulator를 사용하여 위 5개 항목(A-E)을 구하시오
1) Energy band diagram
2) Built in voltage
3) Charge distribution ρ(x) graph
4) Electric field distribution E(x) graph
5) Maximum electric field
3. Nanohub의 Simulator를 사용하여 I-V graph를 그리시오. (V:0~1V, 51 points)
4. 위 forward bias에 따른 electric field와 depletion width의 변화를 확인하시오
5. I-V curve의 V>0.6V 구간에서 droop 현상이 나타남을 확인하시오. 그 원인을 기술하시오. 
1) Series resistance effect
2) High level injection
6. Diode의 n영역의 길이를 2um, 3um로 변화시켜 길이증가에 따른 droop현상의 변화를 확인하시오

본문내용

2. simulator로부터 나온 결과에서 total depletion width를 구할 수 있는지 설명하시오
Simulation을 통해 얻은 charge distribution ρ(x) graph와 electric field distribution E(x) graph 중 D/A(depletion approximation) graph를 이용하면 total depletion width(W)를 구할 수 있다.

<중 략>

5. I-V curve의 V>0.6V 구간에서 droop 현상이 나타남을 확인하시오. 그 원인을 기술하시오
Log scale로 graph를 그리면 voltage가 0.6V 보다 커지는 구간에서는 current의 증가속도가 감소하는 현상(droop 현상)을 관찰할 수 있다. 이러한 현상의 원인은 high level injection과 series resistance effect로 설명할 수 있다

참고 자료

없음