전자회로실험 예비4 MOSFET 기본특성

목차

1. 예비 보고 사항
2. 참고 문헌

본문내용

- NMOS : 바디는 p형 기판, 소스와 드레인 영역은 로 도핑을 한 MOSFET 구조를 NMOS, 바디는 n형 기판 소스와 드레인은 로 도핑한 MOSFET 구조를 PMOS라고 한다. NMOS의 경우 소스-바디, 드레인-바디 사시에 각각 PN 접합이 형성되어 있고, 역방향 바이어스 상태에 있어야 하므로, 바디는 접지시켜야 한다. 위와 같이 게이트에 양의 전압이 인가될 경우 n형 채널이 형성되기 시작함을 알 수 있다. 게이트에 약간의 양의 전압이 인가되었다고 해서 n형 채널이 형성되지 않고, 문턱 전압 이상이 인가될 경우 충분한 양의 전자가 쌓여서 채널이 형성된다. 만약, 게이트에 이상의 전압이 인가되어 채널이 형성된 후, 에 적은 양의 전압이 인가될 경우의 전류의 흐름을 보여 주고 있다. 전자가 소스 단자에서 드레인 단자로 이동하므로, 전류는 드레인에서 소스로 흐르게 되고, 보통 드레인 전류 로 나타낸다. 전압이 작은 경우에는 전압과 전압이 거의 비슷하므로, 채널이 균일하게 분포되어 있다. 이와 같이 채널이 드레인 영역까지 이어져 있는 경우에는 드레인 전압을 올릴수록 소스로부터 드레인으로 더 많은 전자들이 이동하게 되고, 따라서 드레인 전류가 증가하게 된다.

<중 략>

특성은 그림에 그린 것처럼 0이 아닌 기울기를 가지게 되고, 포화 영역에서 드레인과 소스 사이에 비이상적인 전류원이 된다. 위에 설명한 내용을 그래프로 나타내면 다음과 같은 그래프로 나타낼 수 있다.
* (4)번부터는 피스파이스 실험이기 때문에 8.8의 실험 절차 및 결과 보고 부분을 참고하여 레포트를 작성하였습니다.

참고 자료

전자회로 실험 기초부터심화까지 (이강윤 저)
마이크로전자회로 (SEDRA / SMITH)