산화 공정

목차

1.실험 목표
2.실험 방법
3.이론적 배경
4. 실험 결과

본문내용

실리콘이 집적회로에 많이 사용되는 중요한 이유 중의 하나는 훌륭한 산화층(oxide), SiO2를 형성할 수 있다는 것이다. 이 산화층은 절연체로서 MOSFET과 같은 소자 및 소자들 간의 영역에 사용된다. SiO2 형성을 위한 다양한 방법이 사용되고 있다. 그 중에서 이번 실험에서는 열 산화(Thermal oxidation)방법에 대해 소개 할 것이다.
산화 공정과 산화 기구의 기본 원리와 산화 막 성장에 영향을 미치는 공정 변수들에 대해 알아보도록 하자.

2.실험 방법
* cleaning 공정
① H2SO4 와 H2O2 를 4:1로 만든 용액에 Si wafer를 100℃, 1min 동안 담가 놓는다.
② D.I (de-ionized) water로 충분히 헹군다.
③ Si wafer를 B.O.E에 넣어 10sec동안 etching한다.
④ 다시 D.I water로 충분히 헹군다.
⑤ Si wafer의 물기를 제거한다.

<중 략>

-AFM 측정원리 및 구조
AFM의 측정 방식에는 Contact Mode와 Dynamic Mode가 있다. Contact Mode중 가장 일반적인 방법은 등간격유지 제어방식으로서 시료의 표면을 Scanning 하는 Cantilever의 탐침(tip)이 시료에 접근하게 되면 탐침과 시료사이의 상호 작용력(interaction force)에 의해 켈틸레버가 굽힘이 일어나고, 이때 반사되는 Beam의 변화양을 Photodiode가 감지하여 이 신호가 z-motion 컨트롤러에 전달되며, 컨트롤러는 시료가 올려져 있는 PZT scanner의 z축의 위치를 변화시켜 tip 과 sample 표면간의 간격을 일정하게 유지 시켜 PZT scanner의 z 축 변위량을 표면이미지로 형상화 한다.
반면, Dynamic Mode는 Tip과 시료사이의 거리가 2-30nm정도로 Contact Mode일때보다 크며, 팁과 시료사이의 작용힘이 보다 Rough하게 측정된다.

참고 자료

없음