다이오드 특성 결과 레폿

목차

1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 실험용 기기 및 소자 리스트
4. 실험
5. 결론 및 고찰

본문내용

1. 실험 목적
Si과 Ge 다이오드의 저항,전압,전류값을 구하여 특성곡선을 계산하고 그 특성곡선을 이용하여 DC저항과 AC저항을 계산하고 문턱 전압을 결정하여 특성곡선에 대한 이해도를 높인다.

2. 관련 이론
1.다이오드
다이오드란 2개의 전극의 의미를 합성한 것으로 2개의 전극을 가진 소자를 의미한다. 전극은 양극(anode)와 음극(cathode)로 구성된다. 다이오드의 양극은 p형 반도체, 음극은 n형 반도체로 만들어진다. 다이오드는 전류를 한쪽 방향으로만 흘리는 반도체 부품이다. 반도체의 재료는 실리콘이 많지만 그 외에 게르마늄, 셀렌 등이 있다. 다이오드의 용도는 전원장치에서 교류 전류를 직류 전류로 바꾸는 정전기, 라디오의 고주파에서 꺼내는 검파용 전류의 ON/OFF를 제어하는 스위칭 용도 등 매우 광범위하게 사용되고 있다. 다이오드의 종류로는 제너 다이오드, 바리캡 다이오드, 배리스터, 정류 다이오드, 스위칭 다이오드, 쇼트키 다이오드, 밴드 스위칭 다이오드, 터널 다이오드, 임팻 다이오드, 건 다이오드, PIN다이오드 등이 있다.

<중 략>

저항을 측정하면 비로 점화 전위를 얻을 수 없지만, 양호한 다이오드는 순방향 바이어스 상태에서 낮은 저항값을 나타내고, 역방향 바이어스 상태에서 매우 높은 저항값을 나타낸다.
표의 결과로부터 두 다이오드는 양호한 상태인가?
역방향 바이어스 상태에서 OL이 뜨고 순방향 바이어스 상태에서 낮은 저항값을 나타내는 것으로 보아 양호한 상태로 볼 수 있다.
2. 순방향 바이어스의 다이오드 특성곡선
그림 2-5에 Si과 Ge 다이오드의 순방향 특성곡선을 그리기 위해서 충분한 데이터를 이 실험에서 얻고자 한다.
a. 전원 E를 0으로 놓고 그림의 회로를 결선하라. 저항값을 측정하고 기록하라.

참고 자료

없음