서강대학교 반도체공학II 설계 Manual Design of Ideal BJT

소개글

반도체공학 II 과목의 설계입니다.
공부에 많은 도움이 되길 바랍니다.

목차

1. Title
2. Design Objective
3. Description/Details of design process
4. Specifications for design
5. Output characteristics
6. Analysis of variations
7. Conclusion
8. References

본문내용

2. Design Objective
- 다음의 조건을 만족하는 Si NPN BJT를 설계한다. 우리가 설정해야 하는 값은 BJT의 Emitter, Base, Collector 각각의 Doping concentration과 Thickness이고, 온도의 변화 (273K~343K)와 Base의 와 의 오차()에도 설계 조건을 만족해야 한다.
1) Performance Specifications
(at =1mA)
(at =1mA)
(at =0.7V)
(at =1mA)
2) Design Constraints
The BJT has a uniform cross-sectional area A=10um1um
Maximum emitter doping =1E20cm-3
Maximum emitter thickness =0.2um
Minimum base width =0.1um
Minimum collector doping =1E15cm-3
Epitaxial layer thickness (++)4um
Minimum collector thickness =2.0um
Sub-collector doping = 1E19 cm-3
Minimum sub-collector thickness = 1um
minority-carrier lifetimes = = = 1us
3. Description/Details of design process
- Design parameters
(1) Mobility, Diffusion constant, Diffusion Length
먼저, Room temperature에서 carrier의 mobility는 다음의 empirical equation, 즉 실험 식을 통하여 계산할 수 있다.

참고 자료

Robert F. Pierret, “Semiconductor Device Fundamentals”, 1996, p371-458.