도핑물질과 채널길이에 따른 문턱전압의 변화

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최초 등록일: 2013.06.20
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반도체 소스와 드레인 도핑물질 변화와 채널길이 변화에 따른 문턱전압 변화

본문내용

설계 계획

#1 n-type Doping 물질 변화에 따른 Id-Vg 그래프 변화 관찰
#2 Channel Length 변화에 따른 Id-Vg 그래프 변화 관찰

1. Doping 물질 As(비소)
2. Doping 물질 P(인)
3. Doping 물질 Sb(안티몬)
4. Channel Length 변경

<중 략>

결론

#1 Nwell & nLDD 물질 변경
Doping 측면확산 거리, 수직확산 거리가 변화됨
문턱전압 Sb(1.0581v) > As(1.0543v) > P(0.9491v)

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없음

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