전자회로 설계 BJT 회로 해석 및 시뮬레이션

목차

[1] 제목

[2] 목적

[3] 이론
1. BJT
2. 파라미터
3. 에미터 공통 증폭기
4. 다단증폭기(RC결합방식)

[4] 결과 및 결과분석

[5] 토의

[6] 참고 문헌

본문내용

[3] 이론
1. BJT: BJT는 세 개의 반도체 영역, 즉 이미터 영역(n형), 베이스 영역(p형), 그리고 컬렉터 영역(n형)으로 구성된다. 이와 같은 트랜지스터를 npn 트랜지스터라고 부른다. 트랜지스터의 세 개의 반도체 영역 각각에 접속된 단자를 이미터(E), 베이스(B), 그리고 컬렉터(C)라고 명명한다. 트랜지스터는 두 개의 pn접합, 즉 이미터 pn접합, 즉 이미터-베이스 접합(EBJ)과 컬렉터-베이스 접합으로 구성된다. 이 접합들 각각의 바이어스 상태에 따라, BJT의 다른 동작 모드가 얻어진다. 증폭기에서는 트랜지스터가 활성 모드로 동작한다. 스위칭 응용들에서는 차단 모드와 포화 모드 둘 다를 이용한다. 그 명칭이 의미하듯이 차단 모드에서는 두 접합들이 역방향으로 바이어스 되기 때문에 전류는 흐르지 않는다.

2. 파라미터 : 베이스 전류 는 두 가지 성분들로 구성된다. 첫 번째 성분 은 베이스 영역에서 이미터 영역으로 주입된 정공들에 기인한 것이다. 이 전류 성분은 에 비례한다. 베이스 전류의 두 번째 성분인 는 재결합 과정을 통해 베이스에서 없어진 정공들을 보충하기 위해 외부 회로에 의하여 공급되어야 하는 정공들에 기인한 것이다. 가 베이스에 주입된 전자들의 수에 비례하기 때문에, 이 전류 역시 에 비례할 것이다. 따라서 총 전류 베이스 전류 는 에 비례할 것이며, 컬렉터 전류의 일부분으로 다음과 같이 표현할 있다. 인데 여기서 는 트랜지스터 파라미터이다.

< 중 략 >

[5] 토의
첫 번째 문제는 베이스 전류와 콜렉터 전류에 따른 특성비인 값을 구하는 것이었는데 우리가 구하는 구간은 0.5mA일 때의 값이었다. 이것을 시뮬레이션로써 그래프를 통하여 얻었는데 전자회로 이론시간에 배운 통상적인 100이란 값과 가까운 값인 124를 얻었다. 이것을 통하여 우리가 다루는 BJT소자의 특성에 대해 좀 더 다가갈 수 있었다고 본다.

참고 자료

Micro electronic circuit / sedra smith / 6ed / oxford / 2010