01 다이오드 특성 및 반파 정류회로 실험

소개글

다이오드 특성 및 반파 정류회로 실험

목차

없음

본문내용

01. 다이오드 특성 및 반파 정류회로 실험

1.1 실험목적
반도체 다이오드의 I-V 특성을 실험적으로 구하고 다이오드 응용 회로인 반파 정류회로의 동작 원리 및 출력 파형을 관찰하고 측정한다.

1.2 실험원리의 이해

1.2.1 다이오드 전압-전류 특성

다이오드는 p형 반도체와 n형 반도체를 접합시켜 각 반도체 영역에 금속성 접촉(Metal Contacts)과 리드선이 연결된 소자로, 한쪽 방향으로만 전류를 흘릴 수 있고 다른 방향으로는 전류를 차단하는 기능을 한다.


다이오드 구조 및 도식적 기호

(1) 순방향 바이어스
다이오드의 양극(A)이 음극(K)보다 높은 전위를 가지도록 전압을 인가하는 것을 순방향 바이어스(Forward Bias)라 한다. 순방향 바이어스시 다이오드의 양극과 음극 사이의 전위차가 증가하면 점차 전류가 증가하는데, Si 다이오드의 경우 대략 다이오드 양단 전압이 0.7V에 이를 때까지는 순방향 전류()는 조금밖에 증가하지 않지만 0.7V 이상이 되면 는 급속히 증가한다.

참고 자료

없음