소개글
GLASS FIBER에 의해 강화된 실리콘 칩의 파괴강도에 관한 연구
논문입니다.
조금이나마 도움이 되었으면 합니다. 감사합니다.
목차
1. 서 론
2. 실험 방법
2.1. 시편의 준비
2.2. Glass fiber를 이용한 강화
2.3. 3-point bending test
3. 실험 결과
3.1. scratch 각도의 영향
3.2.각도별 파괴단면의 비교분석
3.3. glass fiber에 의한 강화
3.4. 각도에 따른 강화율
4. 고찰
5. 결론
6. 후기
본문내용
1. 서 론
21세기 정보통신기술의 급격한 발달은 첨단 전자장비의 수요를 날로 증가시키고 있으며 정보사회로의 진입과 더불어 그 역할 또한 사회 각 분야로 넓게 확산되어가고 있다. 이 과정에서 고성능, 고기능의 반도체 부품이 필수적으로 요구되고 있고, 핵심적인 기술로써 반도체 미세회로 배선기술은 신호처리의 고속화, 기능의 다양화, 제품의 소형화를 꾀하는 방향으로 개발이 추진되고 있다.
페어차일드 연구 소장이던 고든 무어는 1965년 반도체의 집적도가 18개월마다 2배로 늘어날 것이라 고 예측했다. 무어의 예측대로 반도체의 집적도는 발달해왔고, 이러한 기술은 21세기의 전기, 전자기술 발전을 가속화시켜왔다. 또한 앞으로 기술의 파급효과는 더욱 커질 것이다. Fig.1 은 Moore가 예측한 실리콘 칩에서 IC의 집적도를 보여주고 있다.
Fig 1. Moore`s law
이러한 반도체의 고 집적화와 고 효율화는 차세대 패키징 기술에 대한 요구를 증대시켜왔고, 최근의 반도체 패키징 기술은 종래의 보호기능에서 벗어나 다양한 구조와 재료를 통해 반도체의 열적, 전기적, 성능과 신뢰성 및 집적도를 좌우하게 되었다[1].
하지만 이러한 요구에 따라 사용되는 다양한 재료와 구조는 기존에는 연구되지 않았던 마이크로미터 혹은 그 이하 단위의 미세한 불량을 유발 할 수 있으며, 이런 미세한 기술적인 문제점들은 전기적인 측면 뿐 만 아니라 재료학적인 측면, 기계역학적인 측면에 이르기까지 광범위한 영역에 걸쳐있다. 또한, 소재가 마이크로미터 이하의 스케일이 됨에 따라, 기존 벌크 소재에서는 그 영향이 미약했던 표면장력, 박막 두께, 도핑 정도, 미세 조직, 공정 중 발생하는 표면 결함등의 인자들이 물성에 영향을 미친다. 따라서 마이크로 소재의 물성은 벌크소재와는 다른 값을 나타내게 되기 때문에 기계적 물성 평가는 중요하게 된다[2]. 따라서 신뢰성 확보를 목적으로 실리콘 칩의 기계적인 물성과 결함의 요인분석 및 강화 방법에 대한 복합적인 연구가 필수적이라고 할 수 있다.
참고 자료
이민우, 유희열, "표면분석법을 이용한 반도 체 패키지에서의 불량원인 분석", 전기전자재 료 제16권 제8호 (2003).
이성훈, 김종진, 정종현, 김동원, 권동일, "마 이크로 인장시험법을 이용한 단결정 실리콘 의 파괴강도에 미치는 공정 및 크기효과 평 가", 대한금속. 재료학회지, Vol 41, No 7 (2003)
S. M .Lee, S. M. Sim, T. W. Chung, Y. K. Jang and H. K. Cho, JJAP Part 1 6A, 3374 (1997)
이성민, "실리콘 칩을 포함하는 리드-온-칩 패키지의 파괴강도에 관한 연구", 대한금속. 재료학회지 Vol. 44, No 3 (2006)
B. H. Kim, C. R. Joe, and D. M. Otterson, "On the Detection of Fracture toughness in Polymers'', Polymer Testing 8. pp.119~130 (1989)
이준근, “세라믹스의 기계적 특성‘ , 반도 출 판사, pp.54-55.
박영배, 유진, “반도체 패키지 내 초기 계면 균열에 대한 파괴역학적 연구”, 추계 학술발 표대회 논문집 pp. 263 (1997)
김경섭, 신영의, 장의구, “ 반도체 봉지수지의 파괴 인성치 측정 및 패키지 적용”, The jounal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers. Vol. 10, No 6, pp. 519-527, (1997)
조철내, “반도체 패
한컴오피스 
