실험(3) JFET의 직류특성

소개글

판매자 본인이 직접 제출한 보고서입니다.보고서 점수 A+ 받았던 자료입니다.사진 및 그림 포함되어 있으며, 참고문헌 명시되어 있습니다. 또한 결과보고서에는 연습문제와 그에 해당하는 풀이가 포함되어 있습니다.

목차

1. 실험 결과

2. 검토사항

3. 연습문제

4. 참고문헌

본문내용

1. 실험 결과

1.1 회로시험기를 사용한 접합 FET의 검사


드레인-게이트
소스-게이트
드레인-소스
순방향
역방향
순방향
역방향
순방향
역방향
측정값
1.33
14.7
2.34
24.84
2.21
18.56
표 1(단위 MΩ)

1.2 전달 콘덕턴스 곡선

0V
-2.53V
-0.5V
-1V
-1.5V
-2V
-2.5V
-3V
-3.5V
-4V
-4.5V
-5V

4.59㎃

(0.1%)
3.28㎃
1.98㎃
0.99㎃
260㎂
5.33㎂
0.11㎂
0.02㎂

<중 략>

2.5 저항영역에서 동작할 때 JFET의 D~S 사이 전압이 거의 0V에 가까운 이유는? 또한 역바이어스를 증가시키면 채널의 저항이 왜 증가하는가?
드레인 특성 곡선을 보면 에 따라 가 비례하여 증가하는 구간인 저항영역에서 JFET의 D∼S 사이의 전압인 가 0V에 가까운 이유는 다음과 같다. 역바이어스 되었던 JFET이 순방향 바이어스가 되어가는 지점에 가깝기 때문에 이동하는 전자의 양이 많아지는 지점이다. 그렇기 때문에 걸리는 전압은 그만큼 작다.
역바이어스를 증가시키면 높은 케리어 장벽에 의해 막혀 전자가 이동할 수 없게 되고 이는 전류가 흐르지 않는다는 것이다. 전류가 흐르지 않는다는 것은 옴에 법칙에 의해 저항이 크다는 것을 알 수 있다.

참고 자료

전자?통신연구회 편, 『전자?통신기초실험』, 도서출판 상학당, 2009, pp248-258.
Thomas L. Floyd, 장학신, 이원석, 김창수 역, 『Electronic Devices』, 광문각, 2008. pp326-332.
위키백과, JFET, http://en.wikipedia.org/wiki/Jfet