REPORT-마이크로나노(MEMS 및 ICS)

소개글

Low-pressure CVD(LPCVD)와 Plasma-Enhanced CVD(PECVD)의 원리

목차

1. MEMS 및 ICS에 사용되는 식각공정을 분류하고 이에 대하여 장단점과 특성을 아는바 대로 기술하시오

2. Low-pressure CVD(LPCVD)와 Plasma-Enhanced CVD(PECVD)의 원리를 설명하시오

본문내용

1.MEMS 및 ICS에 사용되는 식각공정을 분류하고 이에 대하여 장단점과 특성을 아는바 대로 기술하시오

MEMS 식각공정은 건식식각공정이 대표적이다.

건식식각기술은 용액 속에서 식각을 하지 않고 기체상태에서 용액 없이 식각을 진행 하는 방법으로 가스 식각, 스퍼터링효과 식각, RIE 식각으로 분류된다.

1.가스식각
: 기체상태의 HF를 이용하여 실리콘 산화막을 식각하는 것과 제논 다이플로라이드(XeF2)를 이용하여 실리콘을 식각하는 두가지 방법이 있다. 상온에서 제논 다이플로라이드는 실리콘과 결합하여 제논과 실리콘 플로라이드로 되어 실리콘이 식각된다.

<중 략>

2.Plasma-Enhanced CVD(PECVD)
강한 전압으로 야기된 plasma를 이용하여 반응물질을 활성화시켜서 기상으로 증착시키는 방법 또는 장치. TFT-LCD에서는 insulator층과 a-Si 증착에 사용한다. 반응 Chamber가 Plasma 상태하에서 GAS들의 화학적 반응에 의해 film을 증착하는 방법으로 Plasma에 의해 reactant들이 energy를 얻음으로 낮은 온도에서 증착이 가능하다

참고 자료

H. Park, K. Kim, and E. Lee, 2001, 28, The Magazine of the KITE 28, 1072 (2001).
Jing Chen, Litian Liu, Zhijian Li, Zhimin Tan, Qianshao Jiang,Huajun Fang, Yang Xu, Yanxiang Liu, Sensors and Actuators A 96, 152 (2002)
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