IDEAL MOS DIODE

*형*

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최초 등록일: 2012.06.23
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이상적인 MOS다이오드 선정 및 설계

본문내용

- 설계 내용
MOS diode 의 특성을 이해하고, ideal MOS 구조를 설계하는데 필요한 Si 의 도핑농도와 metal electrode 를 설계한다.
- 설계 스펙
Metal-SiO2-Si 을 이용하여 Ideal MOS diode 를 제작하고자 할 때, n-Si 과 p-Si 각각의 기판에 대하여 metal 의 종류를 선택하고, ideal MOS diode 의 조건을 만족하기 위한 n-Si 과 p-Si 의 도핑농도를 설계
1. 서론
1) Ideal MOS diode의 조건 및 Energy band diagram
- Ideal MOS diode의 조건
1. 평형 상태에서 접합을 하였을 때 Metal의 workfunction Φ과 Semiconductor의 workfunction Φ의 차이는 zero가 되어야 한다.
2. bias를 가해주었을 때, Metal에서의 표면의 전하와 똑같은 양의 전하가 반대의 부호로 생긴다.
3. Metal과 Semiconductor 사이의 carrier transport가 없게 하기 위해서 insulator(oxide)의 resistivity는 무한대로 설계해야한다. 즉, oxide에서 캐리어의 이동은 없음.
- Energy band diagram :
① Metal, Oxide, Semiconductor의 band diagram

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없음

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