deposition 방법

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본문내용

* PVD : Pysical Vapor (증기... 기체로 날라간다는 의미군.. ) Deposition
증착시키려는 물질을 기체상태로 만들어서 날려보내는 것이므로 진공 요구 (-->장비 고가, 속도 느림)
즉, 중간에 다른 기체 분자들과 부딪혀서 기판에 닿지 못하거나, 중간에 열을 잃어버려서 고체로 변해버리는 문제를 막기 위해
; 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 target으로 제조해서
열, 레이저, 전자빔 등을 통해 기체 상태로 날려 보내고
날아간 원료 물질이기판에 닿았을 때 고체 상태로 변화됨
** Evaporation : 금속의 증기를 사용하는 증발 증착법 >상세는 아래 참조Sputtering : 물질에 물리적인 충격을 주는 방법 >상세는 아래 참조
* CVD : Chemical Vapor Deposition
PVD처럼 원료 물질을 일단 기체상태로 운반하나, 이 원료물질들이 기판의 표면에서 화학반응을 일으킴
(PVD 처럼 들러 붙는다기보다는 화학반응을 일으켜서 고체 상태로 변화한다....)
; 수십 ~ 수백 torr 내지는 상압의 환경에서도 가능 (but PVD보다 훨씬 고온 환경 요구)
; 대표적인 CVD 증착물질인 GaN의 경우에는 MOCVD 법을 이용할 때 TMGa라는 Ga에 methyl기를 붙인 물질을 수송기체
에 실어보내고 한 쪽에서는 암모니아 (NH3)를 불어넣어서 기판의 표면에서 TMGa의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN을

만들어내게 되지요. 그리고 이런 화학반응을 일으키려면 대개 1000도를 상회하는 고온을 요구합니다. CVD법으로 증착
할 때 물질에 따로 다소 저온도 가능하지만 이 저온이란 것도 CVD에서는 500도 정도를 저온이라고 지칭합니다

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