FET증폭회로 예비 레포트

소개글

FET의특성과 MOSFET의 특성을 이론에 넣고 FET증폭회로를 만드는 실험에 대한 예비를 쓴 것입니다.

목차

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본문내용

2. 관련 이론

(1) FET의 의미
전계효과트랜지스터(Field effect transistor)를 가르키는 말로써, FET는 일반적인 접합트랜지스터와 외관은 거의 유사하지만 내부구조와 동작원리는 전혀 다른 것이다. FET는 각종 고급 전자기계와 측정 장비, 자동제어회로 등에 이용되고 있다.
(2) FET의 동작원리
-왼쪽 그림과 같이 N채널 접합 FET의 드레인과 소스에 드레인이 +가 되는 방향으로 전압을 공급하면 (드레인 전압이라고 함) N형 반도체 내에 산재하여 있는 과잉전자가 소스전극에서 드레인전극 측으로 이동하여 드레인 전류 ID가 흐른다.
-이 때 아래의 그림과 같이 게이트와 소스 간에 역방향 전압을 공급하면(이것을 게이트전압이라고 함) 게이트의 -전압에 의해 N채널 내에 전자가 반발당하여 공핍층이 생긴다.
-이때 생긴 공핍층은 전자가 없는 부분(절연영역)이므로 전자가 이동할 수 있는 통로가 좁아져서 전류 ID는 감소한다. 여기에서 만약 역방향 전압을 더욱 증가시킨다면 통로는 더욱 좁아져서 ID는 더욱 감소하게 된다.
(3) FET의 종류
-접합FET(J-FET)와 MOS FET의 두 종류가 있으며 이것들은 각각 전류의 통로가 P형 반도체로 된 P채널 형과 전류의 통로가 N형 반도체로 된 N채널 형이 있다. P채널 형은 정공이 전류를 운반하는 것으로 PNP형 TR과 비슷하고 N채널 형은 전자가 전류를 운반하는 것으로 NPN형의 TR과 비슷하다.

참고 자료

없음