산화에대하여

소개글

반도체 공정에 필요한 웨이퍼 산화 과정에 대하여 자세히 논함

목차

산화의 정의
산화층의 주요기능
산화공정의 종류
건식산화 (Dry Oxidation)
습식산화 (Wet Oxidation)
습식 산화, 건식 산화의 차이
산화율에 미치는 요소
Q&A

본문내용

1.산화의 정의
산화란 실리콘 표면에 실리콘 산화막(SiO2)을 형성하는것을 말한다.
온도가 높은 산화 분위기 (O2, H2O)속에서 실리콘 기판을 노출시켜 표면에 균일한 산화막을 얻는 열 산화 공정이주로 이용된다.
산화막(SiO2)은 물성적으로 매우 안정되어 산화공정방법에 상관없이 거의 같은 성질과 우수한 Si/SiO2 의 2계면 특성을 보여준다.

1) 표면보호 -오염방지, 새로운 표면 형성2)확산 마스킹 -산화막 두께를 충분히 두껍게 형성한 부분은 불순물이 웨이퍼 표면에 닿는것을 막는다.3) 절연체 -Field 산화막 산화막의 절연성으로 인해 금속배선이 실리콘에 닿는것을 막아준다. -Gate 산화막 MOSFET에서는 소스와 드레인 지역을 연결하는 채널을 형성하는 절하를 유기 시키기 위해 의도적으로 게이트 지역에 충분히 얇은 산화막을 기른다.

2.산화층의 주요기능

3. 산화 공정의 종류

열 산화법 이란? 산화층 내부와 SiO2/Si 계면에 결함을 거의

생성시키지 않는 방법으로서 우수한 특성의 절연막을
형성시킬 수 있는 기술이다.

고온에서 산화층을 형성시키는 경우, 실리콘 원자는 웨이퍼 표면에 있는 산소와 반응하기 위해 이미 형성되어 있는 산화층을 통해 웨이퍼 표면 쪽으로 이동하게 되고, 웨이퍼 외부의 산소들은 산화반응이 일어날 수 있는 실리콘 표면 쪽으로 이동한다. 이때 SiO2 층에서의 Si의 확산도는 O2의 확산도에 비해 매우 작다. 따라서 화학 반응은 SiO2/Si 계면에서 발생하게 되고, 이 계면은 외부 기체에 노출되지 않으므로 원하지 않는 불순물의 주입도 방지된다.

참고 자료

없음