85화합물 반도체 공정(유전막 증착)

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공학 레포트

목차

유전막이란?
PVD( 물리적 증착 방법 - Physical Vaper Deposition)
CVD( 화학 기상 증착 방법 - Chemical Vaper Deposition)

본문내용

E-Beam(전자빔)에 의한 진공 증착기
용융점이 높은 금속 (W, Nb, Si..)과 유전체(SiO2)의 박막을 기판 위에 증착 할 수 있는 장비
반도체 공정 및 MEMS 공정에 필요한 전극 제작에 주로 사용되는 공정
※ MEMS : Micro Electro Mechanical Systems
E-beam source인 hot filament에 전류를 공급
나오는 전자 beam을 전자석에 의한 자기장으로 유도
증착재료에 위치시키면 집중적인 전자의 충돌로 증착재료가 가열되어 증발

E-Beam(전자빔)에 의한 진공 증착기

장점 :
증착속도 빠르다 (50A/sec)
고융점 재료의 증착이 가능하다
Multiple deposition이 가능하다
단점 :
X-ray 발생
E-beam source위에 원자의 농도가 크므로 와류 또는 discharge가 심하다

CVD( 화학 기상 증착 방법)
화학물질을 기화 시켜 화학반응에 의한 증착막을 구현하는

참고 자료

없음