금속-반도체 접합의 정류성 접촉 및 저항성 접촉(비정류성 접촉)

소개글

금속-반도체 접합의 정류성 접촉과 저항성 접촉(비정류성 접촉)에 관해 설명한 레포트 입니다.

목차

1. 서론

2. 정류성 접촉
1) 쇼트키 효과
2) 금속-N형 반도체 접촉
3) 금속-P형 반도체 접촉
4) 정류성 접촉 시 전압-전류 특성

2. 저항성(비정류성) 접촉
1) 금속-N형 반도체
2) 금속-P형 반도체
3) 저항성 접촉 시 전압-전류 특성

본문내용

쇼트키 효과
금속 내에서 페르미 준위에 있는 전자를 금속 밖 진공으로 이동시키는 데 (금속의 일함수) 의 에너지가 필요하다. 그런데, 음전하를 금속 표면 근처에 가져오면 양의 (영상)전하가 금속에 유기 된다. 이때 이들로 인한 영상력(image force)이 인가 전계와 결합되면 실질적 일함수는 약간 감소된다. 이와 같이 전위장벽의 저하되는 것을 쇼트키 효과(Schottky Effect)라 한다.
일반적으로 정류정 접촉을 쇼트키 장벽 다이오드(Schottky Barrier Diode)라 하는데, 이의 전류는 다수 캐리어의 흐름에 기인한 것이고 소수 캐리어와 관련된 전하축적으로 인한 시간지연은 없다는 것이 특징이다.
② 금속-N형 반도체 접촉()
일함수가 인 금속을 일함수가 인 반도체와 접촉시키면, 평형상태에서 페르미준위가 일치 될 때까지 전하의 이동이 생긴다.

반도체의 페르미 준위가 처음에는 접촉이 이루어지기 전에 금속의 페르미준위보다 높다.
이 두 개의 페르미준위가 일치하려면 반도체의 정전적 전위가 금속에 대하여 상대적으로 상승되어야 한다. 즉, 전자의 에너지가 낮아져야 한다는 것이다. 위의 경우, 공핍영역 W가 접합 부근에 형성 되는데, 보상되지 않은 W 내의 도너이온으로 인한 음전하는 금속의 양전하와 정합하게 된다.

참고 자료

없음