전자회로실험05결과-트랜지스터의 DC 특성

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실험 결과

고찰

본문내용

고찰
(1) pnp BJT의 CE 구성에서 에미터 바이어스를 증가시키면 콜렉터 전류치는 어떻게 되는가? 실험 데이터를 참고로 하여 답하여라.
=> 실험 (가)의 결과를 보면 CB 공통구성에서 에미터 바이어스를 증가시켰을 경우 에미터 전류가 컬렉터 전류로 그대로 흐르는 것을 알수 있었다. CE의 공통구성에서도 이와 같은 결과를 얻게 된다.

(2) ICBO는 무엇을 말하는가? 실험에서 ICBO를 측정한 방법을 설명하여라.
=> 에미터 전류를 흘려주지 않았을때 콜렉터에 흐르는 전류를 의미한다. 즉 실험(가)에서 한것처럼 에미터-베이스 회로를 개방시키고 콜렉터 전류를 측정하면 된다.

(3) β를 정의하여라.
=> 트랜지스터는 3단자 소자로서 세가지의 공통 구성 방법이 있는데 베이스 공통, 에미터 공통, 콜렉터 공통이 있다. 이들은 전압 이득, 전류 이득, 입력 저항, 출력 저항, 위상등이 틀려 어떤 회로에서 적절하게 사용이 되는데 β는 트랜지스터의 구성방법중 에미터 공통구성에서의 전류의 이득을 말한다. β는 트랜지스터의 성질을 말해주는 중요한 파라미터라고 할수있다.

(4) β를 측정하는 절차를 상세하게 설명하여라.
=> 실험에서처럼 에미터 공통 구성에서 콜렉터와 에미터 전압이 일정할 때 베이스 전류 변화에 대한 콜렉터 전류 변화의 비를 에미터 공통 시 순방향 전류 증폭 계수라 부르며 여기서 처럼 β로 표시 된다.

(5) 이 실험에서 결정한 β값을 사용하여 α값을 구하여라.
=> α=β/(1+β) 이므로 α=192.75/(193.75)≒0.9948 이다.

참고 자료

없음