ICP-OES의 이론 및 분석방법

소개글

ICP-OES에 대한 이론 및 전체적인 내용입니다.

목차

What is OES
• Principle
• Data analysis
• Summary

본문내용

Principle

A.PMT(Photo multipier tube, 광전증배관) – 순차적인 분석
원리 : 분광기의 출구 슬릿 바로 뒤에 광전증배관을 놓고 광 신호를 검출하고 광전변환하여 광 전류로서 광의 세기를 측정
특징
1) 광자의 충돌에 의해 광전음극에서 발생된 전자는 2차 전자 방출이 방출하며, 이러한 단계를 거쳐 증식, 106배로 증배
2) 전압 500-1000v로 광전증배관에 작동
3) 종류
a. R456(Na-K-Sb-Cs) – 넓은 파장 영역에서 높은 감도
b. R106(Sb-Cs) – 자외선
c. R166(Ce-Te) – 장파장 영역
d. 그 외 : 광다이오드배열(photodiode array)
SIT(silicon intensified target tube)

B. CTD(charge transfer detector) – 동시분석

원리 : solid state type의 검출기이며, 일정 면적에 조사되는 복사선을 측정하는 area detection 방식

참고 자료

ICP-OES 기본 이론 및 응용-Thermo electron corporation
OES에 의한 성분 분석-한양대학교 철강제련 및 재활용공정연구실
Description of ICP Optical Emission Spectrometry (ICP-OES)-SII Nano-Technology Inc.
[기기분석 특집] 유도결합플라즈마 발광분광계(ICP-OES)-CJ 식품안전팀
Jie Wang et al. Analytica Chimica Acta 514 (2004) 115
Prodigy software overview-TELEDYNE LEEMAN LABS