[전기.전자.결과레포트] Mosfet 특성실험

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전자과 3학년 실험 결과레포트로 단순 참고용으로 사용하시기 바랍니다.

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본문내용

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실험자2 : 드레인 전류 특성 측정 실험으로 전자회로1 시간에 배운 내용을 실제로 측정 해 볼 수 있었으며 Vds가 0~1사이에서 전류가 급격하게 증가하는 것을 볼 수 있었으며 Vgs가 0.2V 변함에 따라 ACTIVE 영역에서 약 1V씩 증가 하는 것을 볼 수 있었다. 또한 ACTIVE 영역에서 Vds가 증가함에 따라 얼리 효과로 인해서 조금씩 증가 하는 것을 볼 수 있었다. 이번 MOSFET 실험을 하면서 MOS를 처음 사용해보기에 gate, source, drain 방향이 헷갈리는 부분이 있었지만 큰 문제 없이 실험을 할수 있었다.

실험2. 소스 공통 증폭기 측정
실험자1 : 주어진 회로대로 실험을 구성하였고 입력으로 360.0mV를 인가해보니 출력으로 7.560V가 나왔다. 이것으로 MOSFET가 증폭 동작을 하는 것을 확인 할 수 있었고 Vout/Vin 함으로써 Gain값이 21이 나오는 것을 계산해 볼 수 있었다. gain값이 15~25사이라는 조교님의 말처럼 올바른 실험값이 나옴을 확인 할 수 있었다.
실험자2 : 입력으로 0.36mA을 주었지만 출력으로 7.56V가 나오는 것으로 보아 눈으로 MOS FET의 증폭 동작을 확인 할수 있었으면 Gain은 대략 21정도가 나왔다. 신호 발생기에서 Amplitude를 많이 증가 해주었을 때 파형이 깨져서 나오는 것을 확인 하였지만 정확한 이유는 알지 못하였고 파형이 깨지지 않는 정도 내에서 Amplitude를 조절해주었다.

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