ALD (Atomic layer Deposition) 원자층 증착

소개글

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목차

1. 개 요

2. ALD 원리 및 이해

3. ALD 원리 및 적용 (TIN ALD)

4. ALD 종류
PEALD (Plasma Enhanced ALD)
ECR ALD (Electron Cyclotron Resonance ALD)

5. ALD 박막의 종류

6. ALD 공정

7. ALD 특징 (장점, 단점)

8. ALD 응용분야 및 효과

본문내용

개 요

원자란 어떤 물질을 구성하고 있는 것 중에서 가장 작은 단위라 할 수 있다. 따라서 ‘원자제어 증착기술’이라 함은 물질을 구성하고 있는 가장 작은 단위의 개념으로 원자 한층 한층을 조절하고자 하는 기술을 말한다.
최근 반도체 소자의 고집적화에 따라 박막 제조공정이 나노(nano)급 이하로 미세화되고 있으며 원자층(atomic layer)의 박막조절이 가능한 공정개발이 요구되고 있다. 따라서 나노크기(nanoscale)로 증착할 수 있는 다양한 박막 증착기술이 개발 되고 있다. 나노크기 박막 증착기술은 크게 PVD법과 CVD법으로 나눌 수 있으며, 각각은 장단점을 갖고 있다.
PVD(Physical Vapor Deposition) 방법 중에서 가장 대표적이라 할 수 있는 sputter 방법은 고진공하에서 불순물의 개재없이 고순도의 박막을 쉽게 증착할 수 있다는 장점이 있지만, 박막의 벽과 바닥의 증착막 두께가 달라지는 즉 박막 도포성(step coverage)이 나쁘다는 단점이 있을 뿐 아니라 원자단위의 박막조절에 한계가 있다. PVD법 중 MBE방법은 원자층 제어가 가능하고 단결정의 epitaxy 박막을 증착시킬 수 있다는 장점이 있는 반면, 초고진공이 요구되고 생산성이 떨어지며 장비 자체의 가격이 비싼 단점을 갖고 있어 소자의 양산에 사용되는 데는 어려운 점이 있다.
CVD(Chemical Vapor Deposition) 방법은 LPCVD, ECRCVD, MOCVD 등이 많이 연구되고 있다. CVD법은 박막증착시 박막의 도포성이 우수한 점과 저가격의 높은 생산성과 같은 장점을 가지고 있지만, 높은 온도에서의 화학반응을 이용하여 박막을 형성하므로 탄소나 산소같은 불순물 및 입자의 오염이 매우 크고 증착 균일도 및 재현성이 떨어지며 박막의 화학조성 조절이 용이하지 않다는 단점을 가지고 있다.

참고 자료

없음