Athena_dopant diffusion

소개글

athena 시뮬레이터를 이용한 dopant diffusion(불순물확산)에 관한 매우 자세한 보고서 입니다. 깔끔하게 정리하였구요, 다양한 설명과 그림들이 곁들여져 있습니다. 강추합니다. A+보장!

목차

1. 실험과정 & 소스해석

2. 실험결과

3. 고찰

본문내용

㉡Division=20
Division 명령어는 절대적인 좌표와 관계없이 단순히 Grid를 몇 칸으로 나눌지 결정할 때 사용된다. 즉, 같은 division 값을 주더라도 해당 material의 thickness에 따라서 Grid 촘촘함의 정도가 달라지는 것이다. Division 값이 같다면 thickness의 크기가 작은 경우가 큰 경우에 비해 더 촘촘한 Grid를 형성한다.

㉢init silicon orientation=100
가장 먼저 매시의 설정과 실리콘 Si의 방향을 설정해 준다. 매시의 설정은 얼마나 잘게 계산하여 시뮬레이션 결과를 나타낼 것인지를 결정하는 과정이다. 그리고 Si의 기판 방향에 따라 평면에서 Si의 원자 배열이 달라지기 때문에 mobility, diffusion coefficient 등의 상수가 다른값을 가진다. 즉, Si의 방향에 따라 dopant가 확산되는 시뮬레이션 결과가 다르게 나오게 된다. 이번 실험에서는 100방향으로 Si기판을 설정해 주었다.

㉣Si bulk와 Si bulk 윗부분 설계
실리콘기판에 의 고농도, Boron으로 도핑 된 실리콘 0.01um을 쌓는다. 이 부분이 바로 확산해 가는 dopant 원자들을 공급하는 source가 된다. 이 소스 위에 3.2um의 Si를 쌓고 source 아래 위의 Si 사이에서 dopant가 확산해나가는 과정을 확인하는 것이 이번 실험의 목적이다. 마지막에 쌓는 oxide, nitride는 oxide ambient에서 Oxide Enhanced Diffusion실험9를 위한 과정이다. 실험8에서는 nitrogen ambient환경에서 시뮬레이션해 주었기 때문에 Oxidation과정과 그에 의한 point defect(vacancy,interstitial)의 변화가 없다. 또한 point defect이 고려되지 않는 실험이다.

참고 자료

없음