18 게이트 증폭기

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실험(3)

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본문내용

공통 게이트 증폭기
목적
- 2전원 바이어스된 공통 게이트 JFET증폭기의 직류 및 교류 특성을 조사한다.
관련이론
(1) 최대 게이트 전압
- 금속산화물의 얇은 층을 파손시키지 않는 범위 내에서 게이트와 소스간에 인가되는 최대 전압으로, V라고도 하며, 절연층의 항복은 곧 파손으로 이어진다. 또 극성에 관계없이 게이트 전압이 최대정격 이상이면 금속산화물층은 파손된다. 특히 취급상 주의해야 할 점은 전원이 공급되고 있는 상태에서 삽입과 제거이고, 손에 의한 정전기 이다.
(2) 트랜지스터의 증폭특성
트랜지스터 증폭기는 직류전류, 교류전류 및 교류전압을 증폭한다. 이러한 바이어스 조건은 오디오 또는 TV의 증폭기에 사용된다. 입력신호 Vin은 베이스단자의 콘덴서 C과 연결되어 있으며 출력신호 V는 컬렉터 단자의 콘덴서 C에 연결되어 있다. 베이스의 전류가 조금만 증가혀여도 컬렉터의 전류는 크게 증가 하고 베이스의 전류가 조금만 감소하여도 컬렉터의 전류는 크게 감소한다. 그러므로 베이스 전류와 컬렉터 전류는 동상이다. CE회로에서 컬렉터 전류의 증폭률은 β의 크기에 따라 변화한다. 입력신호 전류는 베이스 단자에 연결되어 있는 콘덴서 C을 충전시키고 베이스 전류의 크기를 조절한다. 전압 분배 바이어스로 에미터 공통(CE) 교류 증폭기를 구성하고, 이를 이용하여 CE 증폭기의 전압이득과 에미터 바이패스 증폭기 이득효과를 고찰해보면 CE회로에서는 베이스 전류에 의해 컬렉터 전류가 제어된다는 사실을 관찰하였다. 즉, 베이스의 미소 전류에 의해 컬렉터의 대전류가 제어되기 때문에 CE회로에서의 전류이득 β = △I/△I 로 된다.

참고 자료

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