반도체 공학 개론 HW#1

소개글

반도체 공학에 대한 전반적인 이해를 위해 몇가지 질문에 대한 답변을 모아놓았습니다.
궁금한 사항을 목차에서 검색하여 이해에 도움을 얻거나 관련 레포트 답변에 활용할 수 있을 것입니다.

목차

1. 가. 트랜지스터의 구조와 동작원리
1. 나. schockley가 반도체 물리에 기여한 공적
1. 다. bardeen은 후에 어떠한 연구결과로 노벨상을 더 수상하였는가.

2. Moore`s law , 2015년 이후에 법칙의 지속 가능성은.

3. 금속과 반도체를 비교한 전류가 흐르는 원리

4. p-n 접합에서 I-V 특성 그림, forward와 reverse로 흐르는 전류의 원리

5. pn 접합에서 depletion 층이 발생하는 물리적 원인

6. BJT에서 전류증폭의 원리

7. MOSFET 소자의 전류증폭원리

8. MOSFET과 BJT의 증폭원리 차이점.

9. n-type MOSFET가 많이 이용되는 이유.

10. BJT 소자의 동작 속도를 좌우하는 중요한 파라미터와 그 이유를 운반자의 transport 이론에 따라 설명.

11. 반도체 과학기술이란 어떤 학문이라 생각하나.

본문내용

1. 가. 트랜지스터의 구조와 동작원리
+ 캐리어를 정공(hole) 이라 하고, - 의 캐리어는 전도전자(conduction electron)라 하는데 트랜지스터에서는 이 양쪽이 움직여 돈다는 것이다.
구조는 NPN과 PNP 2종류 형태로 접합한 구조의 소자로 전류의 흐름 등을 조절할 수 있도록 만든 회로 구성에서 중요한 반도체 소자이다. 스위칭, 검파, 증폭용으로써 모든 전자 시스템의 여러가지 형태로 사용된다.

두 접합부분에 확산에 의한 전자 ∼ 정공이 결합하고 이로 인해 공핍층이 형성된다. (전류가 흐르지 못한다.)

베이스
: 트랜지스터에 있어서 이미터로부터 주입된 캐리어(전자 또는 정공)의 전자가운데 일부는 여기에 있는 정공(hole)의 +와 재결합 하여 없어져 버린다. 없어진 정공을 보충하도록 전극에서 베이스로 들어오는 것과 베이스에서 이미터의 N형으로 이동하여 가는 약간의 정공도 있지만 정공이 베이스 전류의 캐리어로 되어 있다.
이미터
: 트랜지스터에 있어서 캐리어를 주입시키는 부분으로 베이스와의 사이에 순방향 전압이 가해진다.
콜렉터
: 트랜지스터에 있어서 캐리어를 모으는 부분으로 베이스와의 사이에 역 방향 전압이 가해진다.
E ~ B 간에 순방향 , B ~ C 간에 역방향 으로 bias를 각각 인가해 주면 전자의 이동이 시작된다.
-공핍층을 뛰어 넘어 P형 반도체로 이동.
B ~ C간에 역방향 bias에 의해 전자는 계속해서 끌리게 된다.
이로 인해 E -> C로 전자의 이동 즉, C -> E 로 전류가 흐르게 된다.

참고 자료

없음