반도체 물성 과 소자 의 기초

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반도체 물성 과 소자 의 기초

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반도체실험및실습 발표
반도체 물성 과 소자 의 기초
반도체 기본 원리 (si 등 4족원소의 결정의 모형 그림을 이용하여 설명) 운반자(전도전자,정공에 대해서도 설명) 열에너지를 받아 떨어지고 전기장을 받으면 전기장의 반대 방향으로 전도전자가 이동. 전도전자의수 = 정공의 수
1.반도체는 크게 다른 불순물이 첨가 되지 않은 진성 반도체 와 다른 물질이 첨가된 외인성 반도체로 나누고 외인성 반도체는 다시 p형반도체와 n형반도체로 나눌 수있다. (축퇴반도체, 보상반도체)
진성반도체 Si, Ge 등으로만 이루어진 다른 첨가물이 들어가 있지 않은 순수한 반도체 인데 이는 전하를 이동시킬 수 있는 ‘운반자’(carrier) 전도전자(자유전자),정공 이 부족해 효율이 떨어짐
외인성 반도체 효율이 떨어지는 진성 반도체에 어떤 물질들을 첨가시켜 전류를 흐를수 있게 해주는 ‘운반자’를 늘려줘 전기전도가 더 잘 되게 해줌.
대표적으로 5족 원소인 p를 첨가 하면 전도전자(전자가 하나 남음)를 이용하여 운반자를 늘릴수 있고 늘어난 전도전자에서 전자의 nagative에서 따 n형 반도체라고 부름
3족 원소인 B 을 첨가하면 정공이 늘어나 역시 운반자의 수가 늘어난다. 상대적으로 +전하를 띄는 것의 positive에서 따 p형 반도체라고 부름
(외인성 반도체 그림 첨부)
정공이 직접이동하는 것으로 그리는 것 이해가 안됨
2.무엇을 Band Gap 에너지로 정의 하는가?

참고 자료

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