반도체공정-유전체증착

소개글

반도체 공정을 다룬 내용이며 특히 유전체 증착 관련 내용 피피티자료임

목차

1.반도체제조공정

-박막증착


2.박막증착방법

- 물리증착(PVD)
- 화학증착(CVD)


3.박막증착과 박막의 특성

- 유전체증착

본문내용

반도체 제조공정
웨이퍼 제조 및 회로설계
- 웨이퍼 제조
모래로부터 고순도 단결정 실리콘 웨이퍼를 만들어 내는 과정
- 회로설계
웨이퍼상에 구현될 전자회로를 설계하는 과정
① 단결정 성장
정제된 실리콘용 융액에 SPEED 결정을 접촉, 회전시키면서
단결정 규 소봉(Ingot)을 성장시킴.
② 규소봉 절단
성장된 규소봉을 균일한 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라낸다. 웨이퍼의
크기는 규소 봉의 구경에 따라 3“,4”,6“,8”로 만들어지며 생산성 향상을
위해 점점 대구 경화 경향을 보이고 있음.
③ 웨이퍼 표면 연마
며, 이 연마된면에
회로 패턴 을 그려넣게 됨.
웨이퍼 제조 및 회로설계
④ 회로 설계
CAD시스템을 사용하여 전자회로와 실제 웨이퍼 위에 그려질 회로패턴을
설계함.
⑤ MASK(RETICLE)제작
회로패턴을 E-beam 서리로 유리판 위에 그려 MASK(RETICLE)를
만듦.
웨이퍼 제조 및 회로설계
웨이퍼 가공(Fabrication)
웨이퍼의 표면에 여러 종류의 막을 형성시켜, 이미 만든 마스크를
사용하여 특 정부분을 선택적으로 깍아내는 작업을 되풀이함으로써
전자회로를 구성해 나가 는 전과정, 죽여서 FAB이라고 한다.
웨이퍼 가공(Fabrication)
⑥산화공정
고온(800~1200℃)에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼 표면과 화학반응 시켜
얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO2)를 형성 시키는 공정
⑦감광액 (PR:PhotoResist)도포
빛에 민감한 물질인 PR을 웨이퍼 표면에 고르게 도포 시킴
⑧노광(EXPOSURE)
STE-PRER를 사용하여 MASK에 그려진 회로패턴에 빛을 통과시켜 PR막이
형성된 웨 이퍼위에 회로패턴을 사진찍는 공정
⑨현상(DEVELOPMENT)
웨이퍼표면에서 빛을 받은 부분의 막을 현상시키는 공정.(일반 사진현상과 동일)
웨이퍼 가공(Fabrication)

참고 자료

없음