전자공학, 기초전기실험 결과 보고서
- 최초 등록일
- 2010.12.16
- 최종 저작일
- 2010.12
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소개글
전자공학, 기초전기실험 결과 보고서
1.RC회로의 과도 응답과 DRAM동작원리,
2.오실로스코프의 AC커플링과 신호의 왜곡,
3.RC회로의 주파수 응답과 필터,
4.RL회로의 과도 응답과 주파수 응답
에 관하여 실험 예비
1.실험의 목표
(1) 커패시터와 인덕터의 전기 소자로서의 특성을 이해한다.
(2) 커패시터와 인덕터를 이용해 원하는 기능을 구현하는 회로를 설계할 수 있도록 한다.
(3) 과도 응답, 임피던스의 개념, 주파수 응답, 과도 응답과 주파수 응답 사이의 관계, 필터의 개념, 기억소자에 대해 완벽히 이해한다.
목차
1.실험의 목표
2.실험내용과 방법
실험 6-1 : RC회로의 과도 응답과 DRAM 동작원리
실험 6-2 : 오실로스코프의 AC 커플링과 신호의 왜곡
실험 6-3 : RC회로의 주파수 응답과 필터
본문내용
1.실험의 목표
(1) 커패시터와 인덕터의 전기 소자로서의 특성을 이해한다.
(2) 커패시터와 인덕터를 이용해 원하는 기능을 구현하는 회로를 설계할 수 있도록 한다.
(3) 과도 응답, 임피던스의 개념, 주파수 응답, 과도 응답과 주파수 응답 사이의 관계, 필터의 개념, 기억소자에 대해 완벽히 이해한다.
2.실험내용과 방법
<== 실험에 앞서서
극성을 가지는 실험소자의 극성을 확인한다.
파형발생기 설정
0V, 5V를 왕복하는 사각파 / 주파수:1kHz
실험 6-1 : RC회로의 과도 응답과 DRAM 동작원리
(1)RC회로의 과도 응답
RC시정수 계산 :
τ = R * C
RC시정수 실험 :
커패시터 전압이 방전으로 인하여 초기 전압의 1/e(약 0.37)로 떨어지는데 까지 걸리는 시간이다.
<회로 6-1 : 과도 응답의 RC시정수 측정을 위한 회로>
-1kΩ, 2kΩ, 0.1μF, 0.22μF 를 각각 측정하고, 저항값과, 커패시터의 값을 변화 시켜 가면서, 표1을 작성한다.
<파형발생기 설정>
2.5V, 2.5V를 왕복하는 사각파
주파수 : 100Hz, 1kHz, 10kHz
의 입력을 넣으며 출력파형을 관찰한다.
<회로 6-1-1 : 커패시터와 저항의 위치를 바꾼 회로>
(2)DRAM의 동작원리
1. 스위치 을 닫고,를 열어 커패시터충전
2. 스위치를 닫고,스위치를 열어 발광다이오드를 통하여 커패시터에 충전되었던 전하를 방전시키며, 불이 켜지는지 확인한다.
참고 자료
없음