쌍극성 접합 트랜지스터 bjt 특성 레포트.

소개글

쌍극성 접합 트랜지스터 bjt 특성 레포트.

목차

◎ 접지방법에 따른 입, 출력 전류와 증폭률
1)베이스 공동 접지
2)에미터 공동 접지
3) 콜렉터 공통접지

본문내용

트랜지스터는 3층반도체소자입니다. PNP형, NPN형 두가지형이 있습니다.
p n p
p n p

(a) pnp
(a) npn
트랜지스터의 회로기초(Circuit Symbol)는 에미터(emitter), 베이스(base), 콜렉터(collector)라는 3개의 단자가 있습니다. 이와 같은 3단자소자를 BJT(Bipolar Junction Transister)라고하는데 쌍극성(bipolar)이라는 용어는 전자와 정공(hole), 두 캐리어(carrier)가 트랜지스터의 동작에 기여한다는 사실에서 비롯됩니다.

IE(에미터 전류), IB(베이스 전류) 및 IC(콜렉터 전류)사이에는 다음과 같은 관계가 있습니다.
IE = IB + IC

트랜지스터에는 세가지 공동구성(접지방식)방법이 있습니다

◎ 접지방법에 따른 입, 출력 전류와 증폭률

1)베이스 공동 접지

일정한 VB에대해 입력전류 IE의 미소변화와 출력전류 IC의 미소변화에 대한 비를 보통 베이스 공동단락회로 증폭계수라 부르며 α로 표시합니다.

｜=일정, 근사적으로는

2)에미터 공동 접지

가장 일반적인 트랜지스터 접지 방식으로 에미터가 베이스와 콜렉터 두단자에 공통 접지되어있습니다. 이 접지 방식은 두가지 특성, 즉 콜렉터(출력)특성과 베이스(입력)특성입니다.
출력특성 곡선 상에는 활성영역, 차단영역, 포화영역 등 세 가지 영역이 있습니다. 활성영역에서는 입력측(에미터접합)은 순바이어스, 출력측(콜렉터접합)은 역바이어스 되어있습니다.

참고 자료

없음