lab8-pre BJT 소자동작 및 증폭기 회로
- 최초 등록일
- 2010.08.29
- 최종 저작일
- 2009.01
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소개글
이번 실험은 Bipolar Junction Transistor의 동작 특성을 관찰하고, BJT를 이용한 증폭기(amplifier, Amp.)의 원리를 이해한다. 이를 위해 6개의 실험으로 나누어 실험을 실시하였다. 실험 1에서는 Is, N의 parameter를 실험 2에서는 , 의 parameter를 추출 하였고, 나머지 실험에서는 Common Emitter, Common Base, Common Collector증폭기의 동작 특성을 관찰 하였다.
목차
1. 실험목적
2. 실험장비
3. 실험과정 및 결과
4. 결론 및 고찰
5. 참고문헌
본문내용
1. 실험목적
Bipolar Junction Transistor의 동작 특성을 관찰하고, 그 parameter를 추출한다. BJT를 증폭기(amplifier, Amp.)로 사용하는 다양한 방법을 실험해보고 이해한다.
2. 실험 Simulation
Is
Transistor saturation current
NF, NR
Forward(Reverse) current emission coefficient
IKF, IKR
Corner for forward(reverse) beta high current roll-off
BF, BR
Ideal maximum forward(reverse) beta
VAF, VAR
Forward(Reverse) Early voltage
표 BJT parameter
** 모든 Hand analysis 보고서 끝에 첨부함.
v Extraction of Is, NF, NR (npn)
Forward characteristic Simulation
** netlist
test1
q1 1 2 0 0 npn1
e1 44 0 1 3 -1e6
r0 44 4 100
d1 4 5 dmod
d2 6 4 dmod
vp 5 0 dc 12
vm 6 0 dc -12
veb 2 0 dc 0
vec 3 0 dc 1
r1 1 4 10meg
.model npn1 npn Is=6.734f Xti=3 Eg=1.11
+ Vaf=74.03 Bf=416.4 Ne=1.259 Ise=6.734f
그림 R=10M
+ Ikf=66.78m Xtb=1.5 Br=.7371 Nc=2 Isc=0
+ Ikr=0 Rc=1 Cjc=3.638p Mjc=.3085 Vjc=.75
+ Fc=.5 Cje=4.493p Mje=.2593 Vje=.75
+ Tr=239.5n Tf=301.2p Itf=.4 Vtf=4 Xtf=2 Rb=10
.model dmod d N=1.1274 IS =14.68e-12
+ CJO=16.831e-12 M=0.4472 TT=6.853e-6 VJ=0.8
.dc veb 0 1 0.01
.print dc v(4)
.probe
.end
참고 자료
없음