다이오드 및 반도체 전원 회로

*진*

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최초 등록일: 2010.07.13
최종 저작일: 2010.07; 32페이지/ MS 파워포인트; 가격 4,000원

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본문내용

PN 접합 다이오드
상온에서 전위장벽의 크기는
실리콘의 경우 약 0.7 [V],
게르마늄의 경우에 약 0.3[V]이다

다이오드의 항복(Break-down) 상태
역 Bias 전압이 어느 한계치를 초과하면 역방향 전류가 크게 급증하여 손상을 줄 수 있는 현상

참고 자료

알기쉬운 디지털 전자회로 강영국저

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