센서1

소개글

기초전기전자 실험의 센서1 결과보고서 입니다.
과목의 등급은 A+를 받았고, 직접 모든 사진과 출처를 게재하였고 이론을 타이핑 하였습니다. 많은 도움 되시길 바랍니다.
내용은 여러가지 센서에 대해 기술했으며 광센서, 근접센서, 로드셀 등이 있고 더 많은 센서는 센서2보고서를 검색하시면 보실 수 있습니다.

목차

1. 광센서
(1) 관련 이론
(2) 광센서의 활용
(3) n형, p형 반도체
(4) 실험 과정
(5) 실험결과
(6) 결론 및 고찰

2. 근접센서
(1) 관련 이론
(2) 근접센서의 활용
(3) 실험 과정
(4) 실험결과
(5) 결론 및 고찰


3. 로드셀
(1) 관련 이론
(2) 로드셀의 활용
(3) 실험 과정
(4) 실험결과
(5) 결론 및 고찰

본문내용

1. 광센서
(1) 관련 이론
광센서 [optical sensor]란 빛을 이용하여 대상을 검출하는 소자이다. 그 원리는 투광부에서 방사된 Plus변조광이 검출물체가 검출영역에 들어감에 따라 수광 소자에의 입사광이 증가(또는 감소)하게 되고 이 증가(또는 감소)한 입사광이 정류신호 레벨이 동작 레벨에도달하면 출력을 내어 주는데 발광소자 즉, LED를 포함하여 간략히 보면 다음과 같다.

발광 소자(LED)
LED는 현재 파장이 480nm에서 950nm 정도의근적외선 파장 대역의 소자가 사용되고 있다. 이것은 수광소자의 분광 감도 peek가 일반적으로 적외선 영역인 약 900nm이고, 또한 적외 LED쪽이 가시광 LED에 비해 양자 효율이 높기 때문이다. 예를 들면 Si dope한 GaAs(적외) LED(950nm)는 직접 천이형이기 때문에 양자 효율은 약10%로 높은데 비해서 N dope GaP(녹색) LED(565nm)는 간접 천이형이기 때문에 양자 효율은 약 0.5%로 낮아진다.

포토 다이오드
포토 다이오드는 구조가 간단하지만, 수광 소자의 기본이 되는 소자이고, 여러 가지 제품이 각 회사에서 개발되고 있다. 주체는 Si를 재료로 한 포토다이오드 이지만, 그 외에도 GaAsP, Ge, InGa As를 재료로 한 것도 있다. 포토 다이오드의 특성으로는 일반적으로 다음을 들 수 있다.

가. 입사 광량-출력전류의 직선성이 우수하다.
나. 고속 응답성.
다. 적은 암전류.
라. 출력의 분산이 작다.
마. 온도에 대한 특성 변화가 작다.
바. 신뢰성이 높다.

참고 자료

없음