BJT 공통이미터 증폭기

소개글

BJT 공통이미터 증폭기

목차

1. 서론
 실험 원리의 이해 :
2. 본론
 실험목표
실험 기기 및 부품
 실험 방법
3. 결론

본문내용

1. 서론

 실험 원리의 이해 :

Bipolar Junction Transistor : 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)는 2개 단자(콜렉터와 이미터) 사이의 전류 흐름이 세 번째 단자(베이스)를 통해 흐르는 전류의 양에 의해 제어되는 고체 소자이다. 출력 전류가 입력 전류가 아닌 입력 전압에 의해 제어되는 다른 주 트랜지스터 유형인 FET와 대조적이다.
Transistor 동작특성을 살펴보면, VBE에 의해 IB가 결정되고 IB가 b배 증폭되어 IC가 흐르며 IE=IB+IC@ IC 이다.

base-emitter 전류 변화는 collector-emitter전류에 큰 변화를 가져오는데 이 변화의 factor를 beta(b) 라고 부른다. 이 때 b에 관한 식은 다음과 같다. b = IC/IB
또한 실험에서 각각의 측정 요소에 관해 정리한 것은 다음과 같다.
IB: dc base current
IE: dc emitter current
IC: dc collector current
VBE: dc voltage across base-emitter junction
VCB: dc voltage across collector-base junction
VCE: dc voltage from collector to emitter
그렇다면 이론적으로 회로의 구현 결과를 살펴보면 다음과 같다.

동작점 AB구간을 살펴보면, 대락 0.7V까지 컬렉터 전류가 점점 증가하는 것을 살펴볼 수 있다. 이 때 Vbe와 Vce에 각각 순방향 바이어스 상태를 유지하기 때문에 컬렉터 전류 Ic도 증가하는 것이다. 이 영역을 포화영역(Saturation Resion)이라고 정의한다. 이 영역에서는 Ib가 증가하더라도 Ic가 더 이상 증가하지 못하는 특성을 가지고 있다.

동작점 BC구간을 살펴보면, 만약 Vcc를 계속해서 증가시켜 0.7V보다 더 큰 전압을 걸어주면, Vbc는 더 이상 순방향 바이어스 되지 못하고 역방향 바이어스 상태에 있게 된다. 따라서 Vcc를 계속 증가시켜주어 Vce를 계속 증가시키더라도 컬렉터 전류는 더 이상 증가하지 못하고 거의 일정한 값을 유지하게 된다. 이 영역을 활성영역(Action Resion)이라고 정의된다.

참고 자료

없음