[전자회로실험보고서]실험6_이미터 공통 증폭기의 특성

소개글

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목차

1. 실험 과제
2. 실험 목적
3. 실험 준비물
4. 실험 방법

본문내용

5. 실험 이론
교류 증폭기로서 트랜지스터
CE 회로에 접속된 트랜지스터의 베이스 전류는 컬렉터 전류를 제어한다. 또한 컬렉터 전류의 증가는 베이스 전류의 증가보다 훨씬 더 컸다. CE 접속에서 트랜지스터의 전류 이득 β는 다음과 같이 정의되었다.

β가 얻어진 바이어스 조건은 다음과 같다.
1. 이미터-베이스 접합은 순방향 바이어스되었다.
2. 컬렉터-베이스 접합은 역방향 바이어스되었다.
오디오, 라디오, TV회로의 증폭기에서는 여러 바이어스 조건이 사용된다.
틀랜지스터 증폭기는 직류 또는 교루 전류 및 전압을 증폭하는 데 사용된다.
그림은 이미터 접지 교류 증폭기로 사용된 NPN 트랜지스터의 회로를 나타낸다. R1과 R2는 베이스-이미터 회로를 순방향 바이어스시키기 위해서 사용된다. VCC는 컬렉터 전류를 공급함과 동시에 또 R1과 R2로 구성되는 베이스 바이어스 분압기에 대한 전압원으로 작용한다. 입력 신호 vin은 C1에 의해 베이스에 결합된다. 출력 신호 vout은 C2를 통해 컬렉터로부터 얻어진다. 베이스 회로와 컬렉터 회로에서의 전류는 동상이다. CE 회로에서 컬렉터 전류의 제어 범위는 트랜지스터의 β에 의존한다.
C1에 의해 베이스 회로에 결합된 입력 신호 전류는 기준-베이스전류에 중첩되어 베이스 전류를 증가 또는 감소시킨다. 그림 7-2의 전류 파형은 이와 같은 상태를 나타낸다.
만약 증폭기가 트랜지스터 특성의 선형 영역에서 동작한다면, 베이스 회로 전류의 이러한 정현파적 변화는 베이스 전류와 동상이며 정현파적으로 변하는 컬렉터 전류를 발생시킨다.
베이스 전류가 증가함에 따라, RL을 통해 흐르는 전류도 증가하며, RL 양단의 전압 강하도 커진다. 부하 저항 RL에 걸리는 전압 강하의 증가는 VC를 감소시킨다.
즉

여기서 VRL은 부하 저항 양단의 전압 강하이며, 다음 식으로 된다.

그림은 정현파 베이스 전압과 그에 따른 컬렉터 전압 VC간의 관계를 나타낸다. 두 신호 사이에는 180°의 위상차가 있음에 주의하라.

참고 자료

없음