PN접합 시 반도체 내에서 일어나는 현상

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진성반도체(Intrinsic Semiconductor)와 불순물을 첨가한(doped) p 또는 n 형 반도체를 물질내의 전자나 자유전자의 입장에서 보면 p형 반도체는 자유전자를 항상 받아들이려는 자세를 취하고 있고 n형 반도체는 여유전자(Excess Electron)를 언제든지 빼앗길 여건을 갖추고 있다. 이렇게 외부의 전자를 받아들일 수 있는 상태의 불순물 반도체(Doped Semiconductor)를 억셉터(Acceptor)라 하고 우리는 흔히 구조상으로 외부의 전자가 들어가 앉을 수 있는 빈집에 해당하는 여분이 있다고 하여 정공(Hole)이라고 부른다. 마찬가지로 외부에 전자를 쉽게 내어줄 수 있는 형태의 불순물 반도체를 도너(Doner)라 부른다. 전자에 미치는 영향으로 보아서 p형 반도체나 n형 반도체는 전기적으로는 중성이지만 실제 구조적으로 전자를 끌어들이거나 배척하는 성질을 가지므로 정공은 양성(Positive)의 p, 도너는 음성(Negative)의 n으로 표시한다. 반도체를 구조상의 내용을 일반화하여 다음 그림과 같이 정공을 많이 가지고 있는 p형 반도체와 여유전자(Excess Electron




바이어스(Bias)의 인가
그림의 p-n접합으로 이루어진 다이오드에 외부에서 전압을 가해주면 두가지의 경우에 대해 다른 효과가 일어난다. 한가지 경우는 p형 쪽에 전압을 가했을 경우 p형 반도체 내부의 정공(Hole)에 n형 반도체로부터 이동해와서 자리를 차지하고 있던 여유전자(Excess Electron)들은 강한 전압에 의해 다시 전지 쪽으로

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